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龙图腾网恭喜华为技术有限公司申请的专利形成叉型结构中侧墙的方法和叉型结构的半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116261788B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080105292.9，技术领域涉及：H10D30/67；该发明授权形成叉型结构中侧墙的方法和叉型结构的半导体器件是由万光星;黄威森设计研发完成，并于2020-10-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本形成叉型结构中侧墙的方法和叉型结构的半导体器件在说明书摘要公布了：一种形成叉型结构中侧墙的方法，包括：提供衬底201；在衬底201上形成第一材料2021和第二材料2022依次层叠的交叠层202；在交叠层202上形成第一掩膜层203；在第一掩膜层203中形成第一沟槽205；通过在第一掩膜层203上和第一沟槽205内形成第二掩膜层206的方式，在第一沟槽205中形成第二沟槽；采用各向异性的刻蚀方式沿着与衬底201垂直的方向刻蚀第二掩膜层206，直至去除位于第二沟槽的侧壁之间且位于第一沟槽205的下表面上的第二掩膜层206，以基于第二沟槽形成第三沟槽207；以第二掩膜层206作为保护层，从第三沟槽207的下表面开始向下刻蚀，形成贯穿交叠层202并延伸至衬底201中的第四沟槽；在第四沟槽中形成侧墙208。所述方法降低了在形成侧墙208的过程中对光刻精度和光刻能力的要求。

本发明授权形成叉型结构中侧墙的方法和叉型结构的半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种形成叉型结构中侧墙的方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底上形成第一材料和第二材料依次层叠的交叠层；在所述交叠层上形成第一掩膜层；在所述第一掩膜层中形成第一沟槽；通过在所述第一掩膜层上和所述第一沟槽内形成第二掩膜层的方式，在所述第一沟槽中形成第二沟槽；采用各向异性的刻蚀方式沿着与所述衬底垂直的方向刻蚀所述第二掩膜层，直至去除位于所述第二沟槽的侧壁之间且位于所述第一沟槽的下表面上的所述第二掩膜层，以基于所述第二沟槽形成第三沟槽；以所述第二掩膜层作为保护层，从所述第三沟槽的下表面开始向下刻蚀，形成贯穿所述交叠层并延伸至所述衬底中的第四沟槽；填充所述第四沟槽，在所述第四沟槽中形成侧墙。

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