恭喜硅工厂股份有限公司崔基埈获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网恭喜硅工厂股份有限公司申请的专利肖特基势垒二极管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112310228B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010730192.7，技术领域涉及：H10D8/60；该发明授权肖特基势垒二极管是由崔基埈设计研发完成，并于2020-07-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本肖特基势垒二极管在说明书摘要公布了：公开了一种可以应用于诸如移动集成电路的需要低截止电流Ioff的应用的肖特基势垒二极管。肖特基势垒二极管能够通过改善由耗尽而夹断的接触表面的结构，从而在保持导通电流的优势的同时，改善对于反向电流的阻断特性。
本发明授权肖特基势垒二极管在权利要求书中公布了：1.肖特基势垒二极管，包括：势垒金属层；以及半导体衬底，配置为与所述势垒金属层形成肖特基接触，沿保护环在所述保护环内形成隔离区域，所述保护环和所述隔离区域位于所述半导体衬底的内部并且填充有绝缘物质，阳电极形成在所述势垒金属层上，其中，所述半导体衬底包括：第一半导体区域，配置为形成与所述势垒金属层接触的第一接触表面；以及第二半导体区域，分别分布在所述第一接触表面内的多个位置处，并配置为形成与所述势垒金属层接触的各个第二接触表面，对于从所述半导体衬底到所述势垒金属层的反向电流流动，所述第一半导体区域具有绝缘特性；每个所述第二接触表面形成为具有在彼此垂直的第一方向和第二方向上具有相同长度的宽度；以及通过所述反向电流流动，所述第一半导体区域耗尽到所述第二半导体区域中，以阻挡所述反向电流流动穿过所述第二半导体区域，其中，所述阳电极接触所述保护环，所述势垒金属层接触所述隔离区域，其中，所述保护环包围所述隔离区域，所述隔离区域包围所述第二半导体区域。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人硅工厂股份有限公司，其通讯地址为：韩国大田市；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号