恭喜安靠科技新加坡控股私人有限公司莫印苏获国家专利权
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龙图腾网恭喜安靠科技新加坡控股私人有限公司申请的专利半导体装置和制造半导体装置的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112017975B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010390844.7，技术领域涉及：H01L21/56；该发明授权半导体装置和制造半导体装置的方法是由莫印苏;李文古;李义波;其王门设计研发完成，并于2020-05-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置和制造半导体装置的方法在说明书摘要公布了：半导体装置和制造半导体装置的方法。在一个实例中，一种半导体装置包括：基底组合件，所述基底组合件包括：第一衬底；第一装置，所述第一装置位于所述第一衬底的顶表面上；以及第一包封料，所述第一包封料位于所述第一衬底的所述顶表面上并且形成所述第一装置的侧表面的边界。所述半导体装置进一步包括导电柱，所述导电柱位于所述第一衬底上和第一模制化合物中，其中所述导电柱包括非导电柱芯和所述柱芯上的导电柱壳。
本发明授权半导体装置和制造半导体装置的方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，包括：基底组合件，所述基底组合件包括：第一衬底；第一装置，所述第一装置位于所述第一衬底的顶表面上；以及第一包封料，所述第一包封料位于所述第一衬底的所述顶表面上并且形成所述第一装置的侧表面的边界；以及导电柱，所述导电柱位于所述第一衬底上和所述第一包封料中；其中所述导电柱包括非导电柱芯和所述非导电柱芯上的导电柱壳；其中所述导电柱位于所述第一装置的占用空间之外，并且所述第一包封料位于所述导电柱和所述第一装置之间；其中所述导电柱壳的顶端与所述第一包封料的顶侧共面；其中所述导电柱壳的所述顶端位于所述非导电柱芯的所述顶端上方，并且从所述第一装置的所述占用空间之外的所述第一包封料的所述顶侧暴露；并且其中所述第一衬底包括与所述导电柱壳和所述非导电柱芯耦接的衬垫，并且所述非导电柱芯位于所述衬垫的占用空间内。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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