恭喜上海积塔半导体有限公司仇峰获国家专利权
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龙图腾网恭喜上海积塔半导体有限公司申请的专利调整隔离环耐压的半导体结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119947162B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510429428.6，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权调整隔离环耐压的半导体结构及其制备方法是由仇峰;屈林琳;王珊珊;廖黎明设计研发完成，并于2025-04-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本调整隔离环耐压的半导体结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体制造技术领域，提供了一种调整隔离环耐压的半导体结构及其制备方法。所述半导体结构包括：硅衬底，所述硅衬底具有第一导电类型，所述硅衬底具有相对设置的正面与背面；隔离环，自所述硅衬底的正面延伸至所述硅衬底内且具有第二导电类型，其中，所述第一导电类型与所述第二导电类型相反；栅极结构，形成于所述硅衬底的正面，所述栅极结构在所述硅衬底上的正投影落入所述隔离环内；介质层，所述介质层覆盖所述硅衬底的正面以及所述栅极结构；深槽隔离场板，自所述硅衬底的背面延伸至所述隔离环的外侧壁，所述深槽隔离场板环绕所述隔离环的外侧壁并与所述隔离环不接触。
本发明授权调整隔离环耐压的半导体结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种调整隔离环耐压的半导体结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：形成一基底，所述基底包括具有第一导电类型的硅衬底，所述硅衬底具有相对设置的正面与背面，所述基底还包括自所述硅衬底的正面延伸至所述硅衬底内且具有第二导电类型的隔离环，其中，所述第一导电类型与所述第二导电类型相反；于所述硅衬底的正面形成栅极结构以及介质层，所述栅极结构在所述硅衬底上的正投影落入所述隔离环内，所述介质层覆盖所述硅衬底的正面以及所述栅极结构；以及于所述硅衬底的背面形成延伸至所述隔离环的外侧壁的深槽隔离场板，所述深槽隔离场板环绕所述隔离环的外侧壁并与所述隔离环不接触。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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