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龙图腾网恭喜上海派拉纶生物技术股份有限公司申请的专利半导体制冷器的派瑞林涂布与去膜方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119681467B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510206258.5，技术领域涉及：B23K26/38；该发明授权半导体制冷器的派瑞林涂布与去膜方法是由张岳;陈志争;杨玉衡;张金刚设计研发完成，并于2025-02-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体制冷器的派瑞林涂布与去膜方法在说明书摘要公布了：本申请提供了一种半导体制冷器的派瑞林涂布与去膜方法，涉及涂层去除技术领域，方法包括在半导体制冷器的特定位置上形成掩膜层，再在其内部和外部均涂布派瑞林膜层，通过旋转装置使半导体制冷器旋转，在旋转机构的基线与激光夹角为0，α，90，90+α，180和270度时分别进行激光切割，其中，在α和90+α度时，切割半导体制冷器上被遮挡的区域。本申请采用旋转角度的方式，使半导体制冷器焊柱之间相互遮蔽的面能够暴露出来，使激光能够切割到相互遮挡的区域。同时，本申请采用连续旋转的方式，激光切割可以在不同侧面首尾相接，膜层断裂时不会留有死角，去除掩膜层和派瑞林层后不会产生膜层的拉丝现象。

本发明授权半导体制冷器的派瑞林涂布与去膜方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体制冷器的派瑞林涂布与去膜方法，所述半导体制冷器包括上基板、下基板、第一焊柱和第二焊柱，所述下基板的长度大于上基板的长度，所述第一焊柱和所述第二焊柱的结构相同，且间隔设置于所述下基板超出所述上基板的部分，所述第一焊柱和所述第二焊柱的高度均高于或均低于所述上基板的高度，其特征在于，所述方法包括以下步骤：S101、在所述上基板、所述下基板、所述第一焊柱和所述第二焊柱上形成掩膜层；S102、采用气相沉积法在所述半导体制冷器内部与外部表面涂布派瑞林膜层；S103、采用固定机构将所述半导体制冷器固定于旋转机构上；S104、当所述旋转机构的基线与激光夹角为0度时，激光切割所述上基板、所述下基板和所述第一焊柱的第一侧面；S105、当所述旋转机构的基线与激光夹角为第一角度α时，激光切割所述第二焊柱的第一侧面，其中0°＜α＜90°；S106、当所述旋转机构的基线与激光夹角为90度时，激光切割所述上基板、所述下基板、所述第二焊柱和所述第一焊柱的第二侧面；S107、当所述旋转机构的基线与激光夹角为90+α度时，激光切割所述第一焊柱的第三侧面；S108、当所述旋转机构的基线与激光夹角为180度时，激光切割所述上基板、所述下基板和所述第二焊柱的第三侧面；S109、当所述旋转机构的基线与激光夹角为270度时，激光切割所述上基板、所述下基板、所述第一焊柱和所述第二焊柱的第四侧面；S110、去除所述上基板、所述下基板、所述第一焊柱和所述第二焊柱上的掩膜层和派瑞林膜层；第一角度α的计算方法为： 其中，d1为所述第一焊柱和所述第二焊柱的间距；w为所述第一焊柱和所述第二焊柱的宽度。

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