买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜上海微釜半导体设备有限公司申请的专利多晶碳化硅生长装置及生长方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119352164B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411908268.5，技术领域涉及：C30B29/36；该发明授权多晶碳化硅生长装置及生长方法是由赵燕平;丁俊;姜蔚设计研发完成，并于2024-12-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本多晶碳化硅生长装置及生长方法在说明书摘要公布了：本发明涉及多晶碳化硅生长技术领域，尤其涉及一种多晶碳化硅生长装置及生长方法，其中，多晶碳化硅生长装置包括生长炉、晶舟、匀气组件、供气组件和加热组件；同一时间段内，能够在多层晶圆的表面分别形成对应的多晶碳化硅薄膜，提高了生产效率。匀气组件安装于晶舟上，能够使混合气体向每层晶圆表面扩散。一方面，晶舟作为晶圆的载体使用；另一方面，晶舟还作为匀气组件的载体使用。相较于传统的多晶碳化硅生长装置，晶舟与匀气组件实现了有机结合，能够快速地在每层晶圆周围形成相同的气体环境。如此，既有利于提高成膜效率，又有利于每层晶圆表面的碳化硅薄膜的厚度尽可能保持一致，保障每层晶圆表面的碳化硅薄膜的成膜质量。

本发明授权多晶碳化硅生长装置及生长方法在权利要求书中公布了：1.一种多晶碳化硅生长方法，其特征在于，采用多晶碳化硅生长装置实现；所述多晶碳化硅生长装置包括：生长炉；晶舟，设置于所述生长炉内，用于承载多层晶圆；匀气组件，安装于所述晶舟上，能够使混合气体向每层所述晶圆表面扩散；供气组件，与所述匀气组件连通，用于将载气和物料气体进行混合形成所述混合气体，并向所述匀气组件输送所述混合气体；加热组件，安装于所述生长炉上，用于加热所述晶舟；所述晶舟包括：底座，底面为弧形面，内部形成有第一分流腔；顶板，设置于所述底座的上方；立柱，为四个，绕所述底座的周向均匀分布；每个所述立柱的侧壁上沿竖直方向均匀地形成有多个晶圆夹持槽；其中三个所述立柱的底端分别固定安装于所述底座上，顶端分别固定安装于所述顶板上；另外一个所述立柱的顶端可拆卸地安装于所述底座上，顶端可拆卸地安装于所述顶板上；每个所述立柱的内部形成有与所述第一分流腔相连通的分流通道；所述匀气组件包括：分流球，安装于所述第一分流腔内，侧壁上形成有多个第一出气孔，与所述供气组件连通；匀气盘，为多个，沿竖直方向均匀分布；每个所述匀气盘的边缘分别与每个所述立柱固定连接；每两个所述匀气盘之间形成有晶圆容纳腔；每个所述匀气盘的内部形成有分别与四侧的所述分流通道相连通的第二分流腔；每个所述匀气盘的顶面和或底面形成有多个分别与所述第二分流腔相连通的第二出气孔；所述多晶碳化硅生长方法包括以下步骤：S1、对晶圆的表面进行预处理；S2、在预处理后的所述晶圆的表面沉积第一碳化硅层；S3、将表面沉积有所述第一碳化硅层的晶圆置于生长炉内；向所述生长炉内通入氧气和载气的混合气体；在高温下，所述第一碳化硅层转变成氧化硅层；氧化硅层的厚度为50nm-300nm；S4、将表面沉积有所述氧化硅层的晶圆置于所述生长炉内；将所述生长炉内温度升高至800℃-900℃；随后，对所述生长炉进行抽真空处理；接着，向所述生长炉内通入载气、碳源气体和硅源气体的混合气体，并使所述生长炉内压力保持在0.5torr-1torr，在高温低压环境下，在所述氧化硅层的表面沉积厚度为50nm-1000nm的第二碳化硅层；S5、将所述晶圆进行冷却至室温。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人上海微釜半导体设备有限公司，其通讯地址为：201600 上海市松江区莘砖公路3825号32栋；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。