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龙图腾网恭喜TCL科技集团股份有限公司申请的专利a-Si TFT器件驱动的主动背光LED光源板及背光模组获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111092092B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201811169335.0，技术领域涉及：H10H29/14；该发明授权a-Si TFT器件驱动的主动背光LED光源板及背光模组是由闫晓林;林智远;马刚;谢相伟;陈光郎设计研发完成，并于2018-10-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本a-Si TFT器件驱动的主动背光LED光源板及背光模组在说明书摘要公布了：本发明适用于显示技术领域，提供了一种a‑SiTFT器件驱动的主动背光LED光源板和背光模组，光源板的基板上包括多个发光单元，每一发光单元包括发光元件以及驱动发光元件的驱动薄膜晶体管，驱动薄膜晶体管包括第一栅极、第一有源层、第一源极和第一漏极，第一源极和第一漏极交错分布并形成曲折的间隙，以增大第一有源层对应所述间隙的部分形成的沟道的宽度。本发明通过将驱动薄膜晶体管的第一源极和第一漏极交错分布并形成曲折的间隙，第一有源层对应第一源极和第一漏极之间的间隙的部分形成沟道，曲折的沟道明显地提高了沟道的宽长比及其驱动能力，从而该驱动薄膜晶体管允许更大的驱动电流通过用于驱动发光元件发光，满足作为背光使用的要求。

本发明授权a-Si TFT器件驱动的主动背光LED光源板及背光模组在权利要求书中公布了：1.一种光源板，其特征在于，用于背光模组中，包括多个发光单元；每一所述发光单元包括发光元件以及驱动所述发光元件的驱动薄膜晶体管；所述驱动薄膜晶体管包括第一栅极、第一有源层、第一源极和第一漏极，所述第一源极和第一漏极交错分布，所述第一源极和第一漏极之间形成曲折的间隙；所述驱动薄膜晶体管的投影在所述发光单元中的面积占比为70％～95％；定义所述第一源极和第一漏极在衬底平面内的投影分别为平面几何体A与平面几何体B，A与B满足如下条件：A与B的面积均不为0；处于B的边缘的点集里，超过80％的点到A的距离相同且为d1，另外少于20％的点到A的距离均大于d1；处于A的边缘的点集里，超过80％的点到B的距离相同且为d2，另外少于20％的点到B的距离均大于d2。

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