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龙图腾网恭喜常州承芯半导体有限公司申请的专利一种体声波谐振装置的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114128140B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980098512.7，技术领域涉及：H03H3/02；该发明授权一种体声波谐振装置的形成方法是由刘宇浩设计研发完成，并于2019-09-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种体声波谐振装置的形成方法在说明书摘要公布了：体声波谐振装置的形成方法，包括：形成第一层，包括：提供第一基底；形成压电层，位于第一基底上；形成第一电极层，位于压电层上；形成空腔预处理层，位于压电层上，用于形成空腔，空腔预处理层至少覆盖第一电极层的第一端，空腔预处理层接触压电层，与压电层形成声学反射结构，用于阻隔漏波，其中，第一层的第一侧对应第一基底侧，第一层的第二侧对应空腔预处理层侧；形成第二层，包括：提供第二基底；接合第一层和第二层，其中，第二层位于第二侧；去除第一基底，第一侧对应压电层侧；以及形成第二电极层，位于第一侧，接触压电层。本发明提高谐振装置的机电耦合系数以及Q值。此外，第二基底加工和有源层加工可以分开进行，具有灵活性。

本发明授权一种体声波谐振装置的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种体声波谐振装置的形成方法，其特征在于，包括：形成第一层，所述形成第一层包括：提供第一基底；形成压电层，位于所述第一基底上；形成第一电极层，位于所述压电层上；形成空腔预处理层，位于所述压电层上，用于形成空腔，所述空腔预处理层至少覆盖所述第一电极层的第一端，其中，所述第一层的第一侧对应所述第一基底侧，所述第一层的第二侧对应所述空腔预处理层侧；形成第二层，所述形成第二层包括：提供第二基底；连接所述第一层和所述第二层，其中，所述第二层位于所述第二侧；去除所述第一基底，所述第一侧对应所述压电层侧；以及形成第二电极层，位于所述第一侧，接触所述压电层；其中所述形成压电层包括：形成第一子压电层，位于所述第一基底上；形成第二子压电层，位于所述第一子压电层上；在去除所述第一基底后，去除所述第一子压电层，所述第一侧对应所述第二子压电层侧。

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