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龙图腾网恭喜华南理工大学申请的专利一种多模式模拟基带电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115459804B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211152675.9，技术领域涉及：H04B1/40；该发明授权一种多模式模拟基带电路是由易翔;梁嘉盛;车文荃;薛泉设计研发完成，并于2022-09-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种多模式模拟基带电路在说明书摘要公布了：本发明公开了一种多模式模拟基带电路，包括高通滤波器、可变增益放大器、输出驱动缓冲器，所述高通滤波器、可变增益放大器、输出驱动缓冲器依次级联，通过MOS管开关的控制，对电路进行FMCW雷达模拟机电路模式与多普勒雷达模拟基带电路模式之间的切换，以及在FMCW雷达模拟基带电路模式下进行不同频带的切换；所述高通滤波器为能够高通截至频率可调的二阶的Two‑ThomasI型高通滤波器；所述可变增益放大器为三级具有直流失调消除反馈的可变增益放大器。

本发明授权一种多模式模拟基带电路在权利要求书中公布了：1.一种多模式模拟基带电路，其特征在于，包括高通滤波器、三级具有直流失调消除反馈的可变增益放大器、输出驱动缓冲器；所述高通滤波器、三级具有直流失调消除反馈的可变增益放大器、输出驱动缓冲器依次级联，通过MOS管开关的控制，对电路进行FMCW雷达模拟机电路模式与多普勒雷达模拟基带电路模式之间的切换，以及在FMCW雷达模拟基带电路模式下进行不同频带的切换；所述三级具有直流失调消除反馈的可变增益放大器的每一级斩波放大器包括斩波器、具有米勒补偿且具有共模负反馈电路的两级放大电路、若干开关、电容以及电阻；第二级可变增益放大器与第三级可变增益放大器的结构与第一级可变增益放大器相同，第三级可变增益放大器的输出再与输出缓冲器连接；第一级可变增益放大器输入端通过电阻R9与高通滤波器输出端连接，第二级可变增益放大器输入端通过电阻R14与第一级可变增益放大器输出端连接，第三级可变增益放大器输入端通过电阻R19与第二级可变增益放大器输出端连接；所述具有米勒补偿且具有共模负反馈电路的两级放大电路为第一级放大电路、第二级放大电路；第一级放大电路包括共源级放大器结构，所述共源级放大器结构包括第一有源负载管M3、第二有源负载管M4、电流偏置管M5，所述电流偏置管M5源级接电源电压VDD，电流偏置管M5的漏极接第一放大管M1、第二放大管M2的源级，第一放大管M1、第二放大管M2还分别接输入两端信号；第一有源负载管M3、第二有源负载管M4的漏极接第一放大管M1、第二放大管M2的漏极；第一有源负载管M3、第二有源负载管M4的源级接接地电压VSS；第一有源负载管M3、第二有源负载管M4的栅极接在一起并接到M13管的漏极；第二级放大电路包括第三放大管M6、第四放大管M7、第三有源负载管M8、第四有源负载管M9、偏置电流；第三放大管M6、第四放大管M7分别接第一放大管M1、第二放大管M2的漏极，第三放大管M6、第四放大管M7的漏极分别与第三有源负载管M8、第四有源负载管M9漏极相接，第三有源负载管M8、第四有源负载管M9源级接电源电压VDD，且第三有源负载管M8漏极、第四有源负载管M9分别作为输出节点VON、VOP；输出节点VON、VOP分别接第一电容C1、第二电容C2的一端，第一电容C1、第二电容C2的另一端分别接有第一电阻R1、第二电阻R2的一端，第一电阻R1、第二电阻R2的另一端接第三放大管M6、第四放大管M7的栅极，第一电容C1、第一电阻R1与第二电容C2、第二电阻R2用于进行密勒补偿；第三电阻R3、第四电阻R4用于检测输出两端的共模电压，第三电阻R3、第四电阻R4的一端分别接输出点VOP、VON另外一端均接到M11的栅极，M12的栅极接共模参考电压VCM，M11、M12的源级均接到M15的漏极，M15的源级接电源VDD，M15管的栅极与M9、M5、M8、M10管的栅极相接，M13、M14管的分别栅漏相接，M13、M14的漏极分别与M11、M12漏极相接，M13、M14源级与地VSS相接，且M13的漏极也连接到M3、M4的栅极，M10管栅极于漏极相接，从漏极注入偏置电流；所述斩波放大器包括第一斩波器和第二斩波器，第一个斩波器的输出端分别接到第一放大管M1、第二放大管M2的栅极，第二个斩波器接到第一级放大器的输出与第二级放大器的输入之间，两个斩波器的输入分别接到第一放大管M1、第二放大管M2的漏极，两个斩波器的输出分别接到接有第一电阻R1、第二电阻R2的第三放大管M6、第四放大管M7的栅极的一端；每个斩波器包括四个NMOS管，第一NMOS管Q1、第三NMOS管Q3栅极接时钟CLK1，第二NMOS管Q2、第四NMOS管Q4的栅极接时钟CLK2，第一NMOS管Q1、第二NMOS管Q2的漏极接输入一端VIN1，第三NMOS管Q3、第四NMOS管Q4的漏极接输入另一端VIN2，第一NMOS管Q1、第四NMOS管Q4的源级接输出的一端VOUT1，第二NMOS管Q2、第三NMOS管Q3的源级接输出的另一端VOUT2；每一级带直流失调消除的可变增益放大器连接关系为：高通滤波器的输出负端通过第四可调电阻R9与斩波放大器的输入端正端连接，高通滤波器的输出正端通过相应的可调电阻与斩波放大器的输入端负端连接；斩波放大器一侧的输入正端与输出负端接有一个第五可调电阻R10，斩波放大器另一侧的输入负端与输出正端接有第六可调电阻R11，第五可调电阻R10的两端还接有第四开关4、第五开关5，第六可调电阻R11的两端还接有第六开关6、第七开关7；第四开关4、第五开关5的另一端分别接入第六电容C6的两端；第六开关6、第七开关7的一端分别接入第七电容C7，另一端分别接第三放大器的输入负端输出正端与输入正端输出负端；斩波放大器的一侧输入正负端接第二开关2；第二开关2的两端各连接一个第七可调电阻R12，第七可调电阻R12另一端接放大器3一侧的输出正负端，斩波放大器的另一侧输入正负端接第三开关3，第三开关3的两端各连接一个第八可调电阻R13，第八可调电阻R13另一端接放大器3另一侧的输出正负端。

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