恭喜江西兆驰半导体有限公司张彩霞获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网恭喜江西兆驰半导体有限公司申请的专利一种绿光发光二极管的外延片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114824002B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210536830.0，技术领域涉及：H10H20/812；该发明授权一种绿光发光二极管的外延片及其制备方法是由张彩霞;程金连;印从飞;胡加辉;金从龙设计研发完成，并于2022-05-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种绿光发光二极管的外延片及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种绿光发光二极管的外延片及其制备方法，绿光发光二极管的外延片，包括多量子阱层，还包括多量子阱准备层，多量子阱层生长于多量子阱准备层之上，多量子阱准备层包括依次外延生长的AlGaN层、InAlGaN层、InGaN层和InN层，多量子阱层生长于InN层之上。本发明通过在多量子阱之前先生长一层特殊结构设计的多量子阱准备层，成功减少了量子阱中缺陷，并使得底层与量子阱的晶格更加匹配，释放了绿光多量子阱层的应力，而且提供了富In环境，增加了绿光In组分的并入，减少了量子阱内的极化效应，从而减少了In的团簇现象，使得In组分分布更均匀，发光区域更均匀，最终使发光波长均匀性得到显著提升。
本发明授权一种绿光发光二极管的外延片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种绿光发光二极管的外延片，包括多量子阱层，其特征在于，还包括多量子阱准备层，所述多量子阱层生长于所述多量子阱准备层之上，所述多量子阱准备层包括依次外延生长的AlGaN层、InAlGaN层、InGaN层和InN层，所述多量子阱层生长于所述InN层之上；其中，所述AlGaN层的生长温度大于所述InGaN层的生长温度，并且所述AlGaN层与所述InGaN层的生长温度差位于100-230℃之间，所述InAlGaN层的生长温度由所述AlGaN层的生长温度渐变降低至所述InGaN层的生长温度，所述InGaN层和所述InN层的生长温度相等。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人江西兆驰半导体有限公司，其通讯地址为：330000 江西省南昌市南昌高新技术产业开发区天祥北大道1717号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号