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龙图腾网恭喜中南大学申请的专利一种多层结构亚波长谐振子的构造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119785948B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510289191.6，技术领域涉及：G16C60/00；该发明授权一种多层结构亚波长谐振子的构造方法是由邓又军;孔令政;方晓萍设计研发完成，并于2025-03-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种多层结构亚波长谐振子的构造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种多层结构亚波长谐振子的构造方法，包括以下步骤：基于亚波长谐振子的材料，构建N层亚波长谐振子结构的材料参数模型；根据N层亚波长谐振子结构的材料参数模型，构建N层亚波长谐振子的电容矩阵；根据N层亚波长谐振子的电容矩阵，获取电容矩阵特征值；根据电容矩阵特征值，得到N层亚波长谐振子共振频率对应参数选取模型；根据N层亚波长谐振子共振频率与对应参数的模型，进行材料参数选择，实现选定共振频率对应的N层亚波长谐振子的构造。本发明提高了多层结构亚波长谐振子设计的准确性和效率，降低了重复试验资源与时间的浪费，促进了所述谐振子的定制化应用的实现，也为其在光学、声学以及其他领域的定制化应用奠定了基础。

本发明授权一种多层结构亚波长谐振子的构造方法在权利要求书中公布了：1.一种多层结构亚波长谐振子的构造方法，其特征在于，包括以下步骤： S1.基于亚波长谐振子的材料，构建N层亚波长谐振子结构的材料参数模型； S2.根据步骤S1得到的N层亚波长谐振子结构的材料参数模型，基于Dirichlet-to-Neumann算子方法，构建N层亚波长谐振子的电容矩阵； S3.根据步骤S2得到的N层亚波长谐振子的电容矩阵，基于三对角电容矩阵的特性，获取电容矩阵特征值； S4.根据步骤S3得到的电容矩阵特征值，通过求解广义电容特征值问题，得到N层亚波长谐振子共振频率对应参数选取模型； S5.根据步骤S4得到的N层亚波长谐振子共振频率与对应参数的模型，进行材料参数选择，实现选定共振频率对应的N层亚波长谐振子的构造； 步骤S2具体为：基于步骤S1得到的材料参数模型，对于任意层数与厚度的材料结果，通过声波在材料结构中传播所满足的边界条件，根据Dirichlet-to-Neumann算子方法刻画N层亚波长谐振子共振现象，得到与材料层数与厚度相关的电容矩阵； 所述电容矩阵为三对角正定矩阵，使用以下算式进行表示：其中，为第j层材料的外半径；为第j层材料的内半径。

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