恭喜哈尔滨工业大学(深圳)(哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院)杨月获国家专利权
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龙图腾网恭喜哈尔滨工业大学(深圳)(哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院)申请的专利一种基于双曲材料的近场辐射填充式结构及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119730470B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510250547.5，技术领域涉及：H10F77/124；该发明授权一种基于双曲材料的近场辐射填充式结构及方法是由杨月;廖昭乐;姚星宇;陈哲锴设计研发完成，并于2025-03-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于双曲材料的近场辐射填充式结构及方法在说明书摘要公布了：本发明涉及基于双曲材料的近场辐射填充式结构及方法，所述基于双曲材料的近场辐射填充式结构包括依次连接的发射极、填充层和接收极，其中，所述发射极的材料为N型掺杂硅；所述接收极与所述发射极平行设置，所述接收极的材料为N型掺杂硅；所述发射极和所述接收极平行设置，所述填充层设置在所述发射极和所述接收极之间。本发明能实现最大激发双曲模式，使热流得到极大的提升。平行波矢量由于双曲模式的激发而得到极大的提高，在最大激发双曲模式下，有更多的光子通过隧穿效应到达接收极介质的表面。
本发明授权一种基于双曲材料的近场辐射填充式结构及方法在权利要求书中公布了：1.一种基于双曲材料的近场辐射填充式结构，其特征在于，所述基于双曲材料的近场辐射填充式结构包括依次连接的发射极、填充层和接收极，其中， 所述发射极的材料为N型掺杂硅；所述接收极与所述发射极平行设置，所述接收极的材料为N型掺杂硅； 所述发射极和所述接收极平行设置，所述填充层设置在所述发射极和所述接收极之间。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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