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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体器件及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113707605B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110901625.5，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权半导体器件及其形成方法是由马哈维;卡迪尔巴德·姆鲁尼尔·阿必吉斯;沈泽民设计研发完成，并于2021-08-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件及其形成方法在说明书摘要公布了：提供了半导体器件及其形成方法。方法包括提供具有半导体结构的工件；在半导体结构上方沉积二维2D材料层；形成电连接至半导体结构与二维材料层的源极部件与漏极部件，其中源极部件与漏极部件包括半导体材料；以及在二维材料层上方形成栅极结构，并且栅极结构介于源极部件与漏极部件之间。栅极结构、源极部件、漏极部件、半导体结构和二维材料层配置为形成场效应晶体管。半导体结构和二维材料层分别用作源极部件和漏极部件之间的第一沟道和第二沟道。

本发明授权半导体器件及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种形成半导体器件的方法，包括： 提供具有半导体结构的工件； 在所述半导体结构上方沉积二维材料层； 形成电连接至所述半导体结构与所述二维材料层的源极部件与漏极部件，其中，所述源极部件与所述漏极部件包括半导体材料；以及 在所述二维材料层上方形成栅极结构，并且所述栅极结构介于所述源极部件与所述漏极部件之间，其中，所述栅极结构、所述源极部件、所述漏极部件、所述半导体结构和所述二维材料层配置为形成场效应晶体管，并且其中，所述半导体结构和所述二维材料层分别用作所述源极部件和所述漏极部件之间的第一沟道和第二沟道， 其中，所述二维材料层的沉积包括： 在所述半导体结构上方形成伪栅极堆叠件，并且形成具有设置在所述伪栅极堆叠件的相对侧壁上的第一间隔件和第二间隔件的栅极间隔件层； 在所述源极部件和所述漏极部件的形成之后，去除所述伪栅极堆叠件，产生由所述第一间隔件和所述第二间隔件限定的栅极沟槽，所述半导体结构暴露在所述栅极沟槽内；以及 在暴露在所述栅极沟槽内的所述半导体结构上选择性地沉积所述二维材料层，使得所述二维材料层分别跨越在所述第一间隔件和所述第二间隔件的内侧之间。

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