恭喜达尔科技股份有限公司D·威尔科克森获国家专利权
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龙图腾网恭喜达尔科技股份有限公司申请的专利具有边缘支撑件的经薄化半导体芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113394175B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110268975.2，技术领域涉及：H01L23/31；该发明授权具有边缘支撑件的经薄化半导体芯片是由D·威尔科克森;庄乔舜;R·刘;T·蔡;W·张设计研发完成，并于2021-03-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有边缘支撑件的经薄化半导体芯片在说明书摘要公布了：本申请案涉及一种具有边缘支撑件的经薄化半导体芯片。揭示一种装置电阻得以减小的半导体装置。所述半导体装置包括半导体芯片，其中所述芯片的安置有电路元件的中心部分处的芯片厚度是均匀的且不同于在远离所述电路元件的芯片侧面附近的芯片厚度。
本发明授权具有边缘支撑件的经薄化半导体芯片在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其包括： 半导体芯片，其具有芯片顶部表面、芯片底部表面及芯片侧面； 具有第一电阻率的第一半导体层及位于所述第一半导体层下方的衬底，所述衬底具有比所述第一电阻率低的第二电阻率； 电路元件，其在所述芯片顶部表面附近安置在所述芯片的中心部分的所述第一半导体层中； 结构，其位于所述衬底中，所述结构在所述电路元件附近在所述芯片的所述中心部分处具有均匀的第一厚度，且在远离所述电路元件的所述芯片侧面附近具有大于所述第一厚度的变化的第二厚度；及 模制化合物层，其具有平坦后表面，所述平坦后表面覆盖在所述电路元件附近的所述芯片的所述中心部分处具有所述均匀的第一厚度的所述结构。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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