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龙图腾网恭喜盛合晶微半导体(江阴)有限公司申请的专利三维堆叠的扇出型封装结构及其封装方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114975408B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110193795.2，技术领域涉及：H10D80/00；该发明授权三维堆叠的扇出型封装结构及其封装方法是由陈彦亨;林正忠设计研发完成，并于2021-02-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本三维堆叠的扇出型封装结构及其封装方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种三维堆叠的扇出型封装结构及其制备方法，该结构包括：第一半导体芯片、第一塑封材料层、金属连接柱、第一重新布线层、第二重新布线层、第二半导体芯片、焊球凸块、底部填充层、第二塑封材料层。形成的封装结构在三维方向可封装两层扇出型晶圆，切割后的单个封装体沿三维方向具有两层半导体芯片，且通过设置第一重新布线层、金属连接柱及第二重新布线层实现对单个封装体中所有半导体芯片电信号的控制，从而在单个封装体中封装更多的芯片，提高封装的整合性、同时减小封装体积；再者，将多个芯片封装于同一个封装体中，还可有效提高单个芯片的效能；最后，该制备方法还为在单个封装体中封装三层以上的扇出型晶圆提供可能。

本发明授权三维堆叠的扇出型封装结构及其封装方法在权利要求书中公布了：1.一种三维堆叠的扇出型封装结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括： 提供第一支撑基底，并于所述第一支撑基底上形成分离层； 于所述分离层上形成第二重新布线层； 于所述第二重新布线层上形成金属连接柱，所述金属连接柱与所述第二重新布线层电连接； 提供第一半导体芯片，并将其与所述第二重新布线层粘合； 于所述第二重新布线层的表面形成第一塑封材料层，所述第一塑封材料层填满所述第一半导体芯片与所述金属连接柱之间的间隙，并将所述第一半导体芯片及所述金属连接柱塑封；所述第一塑封材料层包括相对的第一表面及第二表面，所述第一塑封材料层的第二表面与所述第二重新布线层相接触，且所述第一塑封材料层的第一表面暴露出所述金属连接柱； 于所述第一塑封材料层的第一表面形成第一重新布线层，且所述第一重新布线层与所述第一半导体芯片及所述金属连接柱电连接； 于所述第一重新布线层远离所述第一半导体芯片的表面上形成焊球凸块，且使其与所述第一重新布线层电连接； 提供第二支撑基底，并将其粘合于所述第一重新布线层上； 去除所述第一支撑基底及所述分离层，以暴露出所述第二重新布线层； 提供第二半导体芯片，并将其电连接于所述第二重新布线层上； 于所述第二半导体芯片与所述第二重新布线层之间形成底部填充层； 于所述第二半导体芯片的外围形成第二塑封材料层； 去除所述第二支撑基底。

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