恭喜三星电子株式会社曹昭惠获国家专利权
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龙图腾网恭喜三星电子株式会社申请的专利包括硅通孔的集成电路半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113451256B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011555509.4，技术领域涉及：H01L23/498；该发明授权包括硅通孔的集成电路半导体器件是由曹昭惠;姜泌圭;文光辰;金泰成设计研发完成，并于2020-12-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本包括硅通孔的集成电路半导体器件在说明书摘要公布了：公开了一种集成电路半导体器件，包括：衬底，包括第一表面和与第一表面相对的第二表面；沟槽，在衬底中，沟槽从衬底的第一表面朝向衬底的第二表面延伸；硅通孔TSV着陆部，在沟槽中，TSV着陆部具有与衬底的第一表面间隔开的第一部分，以及第一部分与衬底的第一表面之间的第二部分，第一部分比第二部分宽；TSV孔，在衬底中，TSV孔从衬底的第二表面延伸并且与TSV着陆部的底表面对齐；以及TSV，在TSV孔中并且与TSV着陆部的底表面接触。
本发明授权包括硅通孔的集成电路半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种集成电路半导体器件，包括： 衬底，包括第一表面和与所述第一表面相对的第二表面； 沟槽，在所述衬底中，所述沟槽从所述衬底的所述第一表面朝向所述衬底的所述第二表面延伸； 硅通孔TSV着陆部，在所述沟槽中，所述TSV着陆部具有： 与所述衬底的所述第一表面间隔开的第一部分，以及 所述第一部分与所述衬底的所述第一表面之间的第二部分，所述第一部分比所述第二部分宽； TSV孔，在所述衬底中，所述TSV孔从所述衬底的所述第二表面延伸并且与所述TSV着陆部的底表面对齐，其中，所述TSV孔在形成所述硅通孔TSV着陆部之后形成；以及 TSV，在所述TSV孔中并且与所述TSV着陆部的所述底表面接触， 其中，所述硅通孔TSV着陆部与所述TSV是不同的元件。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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