恭喜浙江大学张春利获国家专利权
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龙图腾网恭喜浙江大学申请的专利一种基于局部磁场调控压磁-压电半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111477688B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010377537.5，技术领域涉及：H10D48/40；该发明授权一种基于局部磁场调控压磁-压电半导体器件是由张春利;梁超;杨嘉实设计研发完成，并于2020-05-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于局部磁场调控压磁-压电半导体器件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于局部磁场调控的压磁‑压电半导体器件，涉及半导体设计技术领域，该压磁‑压电半导体器件由第一压磁层、第二压磁层、压电半导体层、电极、线圈、直流电流源、电源构成；所述压电半导体层的两端分别与电极固定连接，电极与电源串联；所述第一压磁层、压电半导体层和第二压磁层依次连接，且所述第一压磁层、第二压磁层与压电半导体层设置于线圈中，所述线圈的两端与直流电流源串联。不同于传统PN结局限于正向电路导通和反向电路截止，该器件可实现正向电路导通、电路截止和反向电路导通，即电路的三种状态。
本发明授权一种基于局部磁场调控压磁-压电半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种基于局部磁场调控的压磁-压电半导体器件，其特征在于，所述压磁-压电半导体器件由第一压磁层2、第二压磁层3、压电半导体层1、电极4、线圈6、直流电流源7、电源5构成；所述压电半导体层1的两端分别与电极4固定连接，电极4与电源5串联；所述第一压磁层2、压电半导体层1和第二压磁层3依次连接，且所述第一压磁层2、第二压磁层3与压电半导体层1设置于线圈6中，所述线圈6的两端与直流电流源7串联； 所述第一压磁层2、第二压磁层3的长度相等，且均为压电半导体层1长度的0.01～0.5倍；所述压电半导体层1的长度为0.1～10μm； 所述第一压磁层2、第二压磁层3的厚度相等，且均为压电半导体层1中央厚度的16～2倍。
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