恭喜三星电子株式会社李忠炫获国家专利权
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龙图腾网恭喜三星电子株式会社申请的专利集成电路器件及制造其的方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN112420668B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-17发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202010315963.6,技术领域涉及:H01L23/535;该发明授权集成电路器件及制造其的方法是由李忠炫;崔准容;李泳周设计研发完成,并于2020-04-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本集成电路器件及制造其的方法在说明书摘要公布了:提供了一种集成电路器件和制造集成电路器件的方法,所述集成电路器件包括:导电线,包括金属层;以及绝缘盖结构,覆盖导电线。绝缘盖结构包括:第一绝缘盖图案,在绝缘盖结构中与金属层相邻并且具有第一密度;以及第二绝缘盖图案,与金属层间隔开且第一绝缘盖图案位于第二绝缘盖图案与金属层之间,第二绝缘盖图案具有比第一密度大的第二密度。为了制造所述集成电路器件,在基底上形成具有金属层的导电线,直接在金属层上形成具有第一密度的第一绝缘盖层,并且在第一绝缘盖层上形成具有比第一密度大的第二密度的第二绝缘盖层。
本发明授权集成电路器件及制造其的方法在权利要求书中公布了:1.一种集成电路器件,所述集成电路器件包括: 导电线,形成在基底上,导电线包括金属层并且在相对于基底的上表面的第一水平方向上延伸;以及 绝缘盖结构,覆盖导电线, 其中,绝缘盖结构包括: 第一绝缘盖图案,具有第一密度,第一绝缘盖图案与导电线中的金属层相邻;以及 第二绝缘盖图案,与导电线中的金属层竖直地间隔开且第一绝缘盖图案位于第二绝缘盖图案与导电线中的金属层之间,第二绝缘盖图案具有比第一密度大的第二密度。
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