恭喜台湾积体电路制造股份有限公司陈瑞麟获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利一种半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112530949B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010265065.4，技术领域涉及：H10B10/00；该发明授权一种半导体器件及其制造方法是由陈瑞麟;张朝渊;林祐宽;杨昌达;王屏薇设计研发完成，并于2020-04-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：一种半导体器件包括：栅极结构、源极漏极、设置在栅极结构和源极漏极上方的第一通孔，并且第一金属线在截面图中具有比第一通孔更高的垂直位置。第一通孔电连接至栅极结构和源极漏极。第一金属线和第一通孔均沿第一方向延伸。在不同于第一方向的第二方向上，金属线与第一通孔分隔开第一距离。第一金属线包括在第二方向上向外突出的突起部分。本发明实施例还提供了一种半导体器件的制造方法。
本发明授权一种半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括： 栅极结构； 源极漏极； 第一通孔，设置在所述栅极结构和所述源极漏极上方，其中，所述第一通孔电连接至所述栅极结构和所述源极漏极；和 第一金属线，在截面图中具有比所述第一通孔更高的垂直位置； 其中： 所述半导体器件包括根据5纳米技术节点或小于5纳米技术节点的技术节点制造的FinFET； 所述第一金属线和所述第一通孔均沿第一方向延伸； 在不同于所述第一方向的第二方向上，所述第一金属线与所述第一通孔分隔开第一距离；以及 所述第一金属线包括在所述第二方向上向外突出的突起部分，其中，所述突起部分没有与任何通孔物理接触。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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