恭喜通威太阳能(眉山)有限公司常青获国家专利权
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龙图腾网恭喜通威太阳能(眉山)有限公司申请的专利制造晶硅太阳能电池片的方法以及晶硅太阳能电池片获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN110911504B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-17发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:201911319956.7,技术领域涉及:H10F77/30;该发明授权制造晶硅太阳能电池片的方法以及晶硅太阳能电池片是由常青;姚骞;张家峰;马列;王秀鹏设计研发完成,并于2019-12-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本制造晶硅太阳能电池片的方法以及晶硅太阳能电池片在说明书摘要公布了:本发明涉及一种制造晶硅太阳能电池片的方法和晶硅太阳能电池片。方法包括设置基体片以及在基体片的顶表面、底表面上施加栅线,太阳能电池片包括N型硅片、位于N型硅片底表面上的N型多晶硅钝化层以及位于N型硅片的顶表面上的由硼掺杂步骤而生成的P型掺杂层,在设置晶硅太阳能电池片时在对N型硅片的顶表面进行硼掺杂之前先制备N型多晶硅钝化层。根据本发明,在制造过程中先生成N型多晶硅钝化层之后再在硅片表面进行硼掺杂,因而在生成N型多晶硅钝化层时硅片的顶表面还没有形成PN结,此时即使有磷绕镀到顶表面也不会对太阳能电池片的性能产生影响。
本发明授权制造晶硅太阳能电池片的方法以及晶硅太阳能电池片在权利要求书中公布了:1.一种制造晶硅太阳能电池片的方法,所述方法包括设置基体片以及在所述基体片的顶表面、底表面上施加栅线,所述太阳能电池片包括N型硅片、位于所述N型硅片底表面上的N型钝化层以及位于所述N型硅片的顶表面上的由硼掺杂步骤而生成的P型掺杂层,所述N型钝化层为N型多晶硅钝化层或掺杂碳化硅钝化层,其特征在于,在设置所述晶硅太阳能电池片时在对所述N型硅片的顶表面进行硼掺杂之前先制备所述N型钝化层。
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