恭喜江南大学刘禹获国家专利权
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龙图腾网恭喜江南大学申请的专利用于低应力MEMS封装的粘接结构、封装结构及其制造方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN110723713B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-17发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:201911139838.8,技术领域涉及:B81B7/00;该发明授权用于低应力MEMS封装的粘接结构、封装结构及其制造方法是由刘禹;唐彬;商二威;杨杰;陈彦秋设计研发完成,并于2019-11-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于低应力MEMS封装的粘接结构、封装结构及其制造方法在说明书摘要公布了:本发明涉及低应力MEMS封装技术领域,尤其涉及一种用于低应力MEMS封装的粘接结构、封装结构及其制造方法。本发明涉及低应力MEMS封装技术领域,尤其涉及一种针对惯性传感器的低应力MEMS封装的三维封装粘接结构和封装结构。所述用于低应力MEMS封装结构包括MEMS芯片和MEMS基座,所述MEMS芯片通过如本发明第一方面所述的用于低应力MEMS封装的粘接结构粘贴在所述MEMS基座上。所述用于低应力MEMS封装的粘接结构和封装结构具有较好的应力隔离效果。
本发明授权用于低应力MEMS封装的粘接结构、封装结构及其制造方法在权利要求书中公布了:1.一种用于低应力MEMS封装的粘接结构,其特征在于,所述用于低应力MEMS封装的粘接结构包括:从下至上依次交替叠置的应力隔离A层(100)和应力隔离B层(200);所述应力隔离A层(100)和应力隔离B层(200)均分别包括至少一层的应力隔离层;所述应力隔离层包括若干根呈阵列式排布的应力隔离条(300); 所述应力隔离A层(100)包括应力隔离条(300)排布一致的第一应力隔离层(410)和第二应力隔离层(420),所述应力隔离B层(200)包括应力隔离条(300)排布一致的第三应力隔离层(430)和第四应力隔离层(440);第一应力隔离层(410)和第二应力隔离层(420)中的应力隔离条(300)排布一致;第三应力隔离层(430)和第四应力隔离层(440)中的应力隔离条(300)排布一致且第一应力隔离层(410)和第二应力隔离层(420)中的应力隔离条(300)交叉于第三应力隔离层(430)和第四应力隔离层(440)中的应力隔离条(300); 所述应力隔离条(300)的宽度为50~~150μm,应力隔离条(300)的间距为100~~500μm; 所述应力隔离条(300)的热膨胀系数为1×10-6~~1×10-3[1K]。
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