恭喜朗姆研究公司黎照健获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网恭喜朗姆研究公司申请的专利用于增强钨沉积填充的钨的原子层蚀刻获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113380695B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110431456.3，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权用于增强钨沉积填充的钨的原子层蚀刻是由黎照健;克伦·雅各布斯·卡纳里克;萨曼莎·坦;阿南德·查德拉什卡;泰赫-婷·苏;杨文兵;迈克尔·伍德;迈克尔·达内克设计研发完成，并于2016-08-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于增强钨沉积填充的钨的原子层蚀刻在说明书摘要公布了：本发明涉及用于增强钨沉积填充的钨的原子层蚀刻。本发明提供了使用沉积‑蚀刻‑沉积工艺将钨沉积到高深宽比的特征中的方法，该工艺整合了多种沉积技术与在蚀刻期间交替的表面改性的脉冲和去除的脉冲。
本发明授权用于增强钨沉积填充的钨的原子层蚀刻在权利要求书中公布了：1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括： 相对于特征的内部区域，通过以下操作优先蚀刻在衬底上的所述特征的开口处或附近的第一数量的金属： i通过使所述特征暴露于含卤素的气体以形成所述第一数量的金属的改性的表面，其中相对于所述特征的内部区域，优先改性在所述特征的开口处或附近的所述第一数量的金属的表面； ii使所述改性的表面暴露于活化气体以相对于所述特征的内部区域优先蚀刻所述特征的开口处或附近的所述第一数量的金属以打开所述特征； iii在i和ii中的至少一种期间使用偏置功率对所述衬底施加偏置。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人朗姆研究公司，其通讯地址为：美国加利福尼亚州；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号