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恭喜中国人民解放军国防科技大学房素素获国家专利权

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龙图腾网恭喜中国人民解放军国防科技大学申请的专利一种自动化CVD装置连续制备二维材料的方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119876906B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-20发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202510369397.X,技术领域涉及:C23C16/44;该发明授权一种自动化CVD装置连续制备二维材料的方法是由房素素;姚金龙;王丹阳;王珊珊设计研发完成,并于2025-03-27向国家知识产权局提交的专利申请。

一种自动化CVD装置连续制备二维材料的方法在说明书摘要公布了:本发明属于二维材料制备领域,具体涉及到一种自动化CVD装置连续制备二维材料的方法,自动化CVD连续制备二维材料装置包括反应炉、瓷舟组件、直线移动机构、物料存放装置和上下料机构;本发明所提供的自动化CVD装置连续制备二维材料的方法,彻底摒弃传统手工双边上样、螺栓固定的繁琐流程,创新性地采用单边自动化进样,通过设计多种零件的协同配合,成功实现瓷舟组件进样后即刻密封的效果,简化流程且大幅提高工作效率。此外,通过设计上下料机构,有效克服因上料盘表面不平整因素导致的上样失败问题,实现上下料自适应纠偏,进而实现整个制备流程的自动化进行,最终实现24小时的连续自动化实验。

本发明授权一种自动化CVD装置连续制备二维材料的方法在权利要求书中公布了:1.一种自动化CVD装置连续制备二维材料的方法,其特征是,使用自动化CVD装置连续制备二维材料,所述自动化CVD装置包括反应炉(1)、瓷舟组件(2)、直线移动机构(3)、物料存放装置(4)和上下料机构(5);所述反应炉(1)包括用于进行气相沉积的炉体(11),所述炉体(11)的一侧设置有物料进出口(133);所述瓷舟组件(2)包括依次设置的瓷舟(21)和瓷舟杆(22),所述瓷舟杆(22)设置在所述直线移动机构(3)输出端,所述直线移动机构(3)用于驱动所述瓷舟组件(2)通过所述物料进出口(133)进入炉体(11);在所述瓷舟组件(2)进入炉体(11)时,所述瓷舟杆(22)与所述物料进出口(133)通过瓷舟杆(22)上的密封圈(221)配合完成密封;所述物料存放装置(4)存放用于气相沉积的衬底和用于存放前驱体的坩埚;所述上下料机构(5)用于将所述物料存放装置(4)上的衬底和坩埚转移至所述瓷舟(21)上进行气相沉积,所述上下料机构(5)还用于将所述瓷舟(21)上已经完成气相沉积的衬底和坩埚转移至下一工位;所述自动化CVD装置连续制备二维材料的方法为使用所述自动化CVD装置进行连续的自动化实验;所述反应炉(1)包括炉体(11)和放置在炉体(11)内的炉管(12);所述炉体(11)一端设置有连接法兰(13),所述连接法兰(13)上设置有进出气腔(131),所述进出气腔(131)的一端设置有连通所述炉体(11)内的进出气孔Ⅰ(132),另一端设置有物料进出口(133),所述进出气腔(131)上还设置有连通炉体(11)外的进出气孔Ⅱ(134);所述炉管(12)内部中空两端开口,其中一端开口连通所述炉体(11)外部用于出进气,另一端开口抵接在所述进出气孔Ⅰ(132)背离所述进出气腔(131)一端;所述瓷舟组件(2)的一端可依次通过所述物料进出口(133)、进出气孔Ⅰ(132)伸入所述炉管(12)内,所述瓷舟杆(22)外壁与所述进出气孔Ⅰ(132)之间具有进出气间隔(135),所述瓷舟杆(22)与所述物料进出口(133)通过瓷舟杆(22)上的密封圈(221)配合完成密封;所述进出气腔(131)包括侧围Ⅰ(1311)、设置在侧围Ⅰ(1311)一端的固定侧壁Ⅰ(1312)和滑动设置在侧围Ⅰ(1311)内的滑动侧壁Ⅰ(1313);所述进出气孔Ⅰ(132)设置在所述滑动侧壁Ⅰ(1313)上;所述物料进出口(133)设置在所述固定侧壁Ⅰ(1312)上;所述进出气孔Ⅱ(134)设置在侧围Ⅰ(1311)或固定侧壁Ⅰ(1312)上;所述滑动侧壁Ⅰ(1313)和固定侧壁Ⅰ(1312)之间还设置有弹簧Ⅰ(1314),所述弹簧Ⅰ(1314)推动所述滑动侧壁Ⅰ(1313)与所述炉管(12)开口抵接。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人中国人民解放军国防科技大学,其通讯地址为:410073 湖南省长沙市开福区德雅路109号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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