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龙图腾网恭喜安徽芯塔电子科技有限公司申请的专利一种主动驱动电路及并联SiC MOSFET功率组件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114583931B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210349484.5，技术领域涉及：H02M1/088；该发明授权一种主动驱动电路及并联SiC MOSFET功率组件是由李冬黎;倪炜江;李倩设计研发完成，并于2022-04-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种主动驱动电路及并联SiC MOSFET功率组件在说明书摘要公布了：本发明公开的主动驱动电路，设于并联连接的主SiCMOSFET与从SiCMOSFET之间，包括一个为主SiCMOSFET和至少一个从SiCMOSFET，主动驱动电路包括：didt检测电路Ⅰ、didt检测电路Ⅱ、压控拉电流源电路及压控灌电流源电路，其中，didt检测电路Ⅰ，检测主SiCMOSFET的源极杂散电感Lsl两端的电压Vsl；didt检测电路Ⅱ，检测从SiCMOSFET的源极杂散电感Lsn两端的电压Vsn；在电压Vsl大于电压Vsn时，压控灌电流源电路从从SiCMOSFET的栅极注入电流，以使从SiCMOSFET的漏极电流逼近主SiCMOSFET漏极电流；在电压Vsl小于电压Vsn时，压控拉电流源电路从从SiCMOSFET的栅极抽取电流，以使从SiCMOSFET的漏极电流逼近主SiCMOSFET漏极电流。本发明提出的主动驱动电路简单，动态响应快，并且对解决多个并联SiCMOSFET动态不均流问题具有较好的效果。

本发明授权一种主动驱动电路及并联SiC MOSFET功率组件在权利要求书中公布了：1.一种主动驱动电路，设于并联连接的主SiCMOSFET与从SiCMOSFET之间，包括一个为主SiCMOSFET和至少一个从SiCMOSFET，其特征在于，所述主动驱动电路包括： didt检测电路Ⅰ、didt检测电路Ⅱ、压控拉电流源电路及压控灌电流源电路，其中； didt检测电路Ⅰ，检测主SiCMOSFET的源极杂散电感Lsl两端的电压Vsl； didt检测电路Ⅱ，检测从SiCMOSFET的源极杂散电感Lsn两端的电压Vsn； 在电压Vsl大于电压Vsn时，压控灌电流源电路从从SiCMOSFET的栅极注入电流，以使从SiCMOSFET的漏极电流逼近主SiCMOSFET漏极电流； 在电压Vsl小于电压Vsn时，压控拉电流源电路从从SiCMOSFET的栅极抽取电流，以使从SiCMOSFET的漏极电流逼近主SiCMOSFET漏极电流； 所述压控拉电流源电路由电压反馈电路Ⅰ及电流镜电路Ⅰ组成，将电压Vsl及电压Vsn输入电压反馈电路Ⅰ，基于主SiCMOSFET和从SiCMOSFET的源极杂散电感值差异对电压Vsn进行补偿，补偿后的电压为Vs′n，对差分电压V′sn-Vsl进行比例放大成反馈电路Ⅰ输出Vam1，基于电压反馈电路Ⅰ的输出Vam1，电流镜电路Ⅰ输出相应的拉电流Isink； 电压反馈电路Ⅰ包括：运算放大器U1，电压Vsn及电压Vs1分别通过电阻R1、电阻R3连接运算放大器U1的同相输入端、反相输入端，同相输入端通过电阻R2与信号接地端子连接，反相输入端通过电阻R4连接至输出端； 电流镜电路Ⅰ包括：基极与运算放大器U1输出端连接的晶体管Q1和晶体管Q2，晶体管Q1的发射极和晶体管Q2的发射极通过电阻R5与晶体管Q3的集电极和晶体管Q4的基极连接，晶体管Q1的集电极连接电源端Vcc，晶体管Q3的基极连接晶体管Q4的基极，晶体管Q4的集电极通过二极管D1连接SiCMOSFET的栅极，晶体管Q2的集电极、晶体管Q3及晶体管Q4的发射极与信号接地端子连接； 调节电阻R1和阻值R2对电压Vsn进行补偿，补偿后的电压为V′sn＝k3Vsn，补偿系数k3为源极杂散电感Lsl与源极杂散电感Lsn的比值，即

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