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龙图腾网恭喜三菱电机株式会社申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114284337B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111128107.0，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权半导体装置是由高桥彻雄;藤井秀纪;本田成人设计研发完成，并于2021-09-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置在说明书摘要公布了：提供进一步降低了FWD动作时的恢复损耗的半导体装置。晶体管和二极管形成于共通的半导体基板，半导体基板具有晶体管区域和将它们包围的外周区域，晶体管区域被多个条状的栅极电极划分为形成沟道的多个沟道区域和不形成沟道的多个非沟道区域，多个非沟道区域具有第1半导体层、第2半导体层、第3半导体层、第5半导体层、第1电极和第2电极，第3半导体层以及第5半导体层经由接触孔而与第2电极电连接，第5半导体层以不与第1导电型的杂质层接触的方式而选择性地设置，该第1导电型的杂质层设置于外周区域而对与单元区域之间的边界进行限定。

本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其是晶体管和二极管形成于共通的半导体基板的半导体装置，其中， 所述半导体基板具有： 晶体管区域，其形成有所述晶体管； 二极管区域，其形成有所述二极管；以及 外周区域，其将包含所述晶体管区域以及所述二极管区域的单元区域包围， 所述晶体管区域被多个条状的栅极电极划分为形成沟道的多个沟道区域和不形成所述沟道的多个非沟道区域， 所述多个沟道区域具有： 第1导电型的第1半导体层，其设置于所述半导体基板的第2主面侧； 第2导电型的第2半导体层，其设置于所述第1半导体层之上； 第1导电型的第3半导体层，其设置为比所述第2半导体层更靠所述半导体基板的第1主面侧； 第2导电型的第4半导体层，其在所述第3半导体层的上层部选择性地设置； 第1导电型的第5半导体层，其以侧面与所述第4半导体层的侧面彼此接触的方式选择性地设置； 第1电极，其与所述第1半导体层电连接；以及 第2电极，其与所述第4半导体层以及所述第5半导体层电连接， 所述多个非沟道区域中的至少1个非沟道区域是第1非沟道区域，该第1非沟道区域具有： 所述第1半导体层； 所述第2半导体层； 所述第3半导体层； 所述第5半导体层； 所述第1电极；以及 所述第2电极， 在所述第1非沟道区域中， 所述第3半导体层以及所述第5半导体层经由接触孔而与所述第2电极电连接， 所述第5半导体层以不与第1导电型的杂质层接触的方式选择性地设置于所述第3半导体层的上层部，该第1导电型的杂质层设置于所述外周区域并对与所述单元区域之间的边界进行限定。

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