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龙图腾网恭喜长鑫存储技术有限公司申请的专利读出电路架构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115810371B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111082961.8，技术领域涉及：G11C7/06；该发明授权读出电路架构是由杨桂芬;池性洙设计研发完成，并于2021-09-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本读出电路架构在说明书摘要公布了：本申请实施例涉及半导体版图设计领域，特别涉及一种读出电路架构，包括：第一NMOS版图，包括第一N型有源层以及设置在第一N型有源层上分立排布的第一栅极层；第二NMOS版图，包括第二N型有源层以及设置在第二N型有源层上分立排布的第二栅极层；第一PMOS版图，包括第一P型有源层以及设置在第一P型有源层上分立排布的第三栅极层；第二PMOS版图，包括第二P型有源层以及设置在第二P型有源层上分立排布的第四栅极层；第一处理结构版图，第一有源层以及第一隔离栅极；第二处理结构版图，第二有源层以及第二隔离栅极，本申请实施例在不多引入偏移消除MOS管的前提下，以消除读出电路中的偏移噪声，有利于DRAM集成度的提高。

本发明授权读出电路架构在权利要求书中公布了：1.一种读出电路架构，其特征在于，包括： 第一NMOS版图，包括在第一方向上分立排布的第一N型有源层，以及设置在所述第一N型有源层上分立排布的第一栅极层； 第二NMOS版图，包括在第一方向上分立排布的第二N型有源层，以及设置在所述第二N型有源层上分立排布的第二栅极层； 第一PMOS版图，包括在第一方向上分立排布的第一P型有源层，以及设置在所述第一P型有源层上分立排布的第三栅极层； 第二PMOS版图，包括在第一方向上分立排布的第二P型有源层，以及设置在所述第二P型有源层上分立排布的第四栅极层； 第一处理结构版图，包括在第一方向上分立排布且在第二方向上延伸的第一有源层，以及设置在第一有源层上，且在第二方向上延伸的第一隔离栅极； 第二处理结构版图，包括在第一方向上分立排布且在第二方向上延伸的第二有源层，以及设置在第一有源层上，且在第二方向上延伸的第二隔离栅极； 所述第一方向和所述第二方向相交；所述第一处理结构版图还包括：第一预充栅极，设置在所述第一有源层上，在第一方向上延伸，且所述第一预充栅极和所述第一隔离栅极在第二方向上依次排布；均衡栅极，设置在所述第一有源层上，在第一方向上延伸，且所述第一预充栅极、所述第一隔离栅极和所述均衡栅极在第二方向上依次排布； 所述第二处理结构版图还包括：第二预充栅极和第三预充栅极，设置在所述第二有源层上，在第一方向上延伸，且所述第二预充栅极、所述第二隔离栅极和所述第三预充栅极在第二方向上依次排布；或者， 所述第一处理结构版图还包括：第一预充栅极和第三预充栅极，设置在所述第一有源层上，在第一方向上延伸，且所述第一预充栅极、所述第一隔离栅极和所述第三预充栅极在第二方向上依次排布； 均衡栅极，设置在所述第一有源层上，在第一方向上延伸，且所述第一预充栅极、所述第一隔离栅极、所述均衡栅极和所述第三预充栅极在第二方向上依次排布； 所述第二处理结构版图还包括：第二预充栅极，设置在所述第二有源层上，在第一方向上延伸，且所述第二预充栅极和所述第二隔离栅极在第二方向上依次排布。

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