恭喜福建省晋华集成电路有限公司张钦福获国家专利权
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龙图腾网恭喜福建省晋华集成电路有限公司申请的专利一种半导体结构、半导体结构制备方法及半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115347034B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210925364.5，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种半导体结构、半导体结构制备方法及半导体装置是由张钦福;程恩萍;冯立伟设计研发完成，并于2021-06-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体结构、半导体结构制备方法及半导体装置在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体结构、半导体结构制备方法及半导体装置，该结构包括设置有有源区和浅沟槽隔离区的基底，其中浅沟槽隔离区的上表面低于有源区的上表面；随形覆盖基底的堆叠结构；浅沟槽隔离区上还设置有覆盖堆叠结构的第一绝缘层、覆盖第一绝缘层的第二绝缘层和覆盖第二绝缘层的第三绝缘层；有缘区上设置有覆盖堆叠结构的第一绝缘层，该第一绝缘层上表面和第三绝缘层的上表面处于相同的平面。该结构可以提供具有平坦上表面的半导体结构，且避免了现有技术中通过研磨有源区上的第一绝缘层至与浅沟槽隔离区上的第一绝缘层水平来实现平坦化，提高了漏电的风险，降低了半导体器件工作的稳定性的问题。
本发明授权一种半导体结构、半导体结构制备方法及半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 基底，所述基底包括有源区和浅沟槽隔离区，所述浅沟槽隔离区中有一上表面低于所述有源区的上表面； 第一绝缘层，所述第一绝缘层覆盖所述有源区和所述浅沟槽隔离区； 第二绝缘层，所述第二绝缘层覆盖设置在所述浅沟槽隔离区上的所述第一绝缘层，并且所述第二绝缘层与所述第一绝缘层在所述浅沟槽隔离区接触； 第三绝缘层，所述第三绝缘层设置在所述第二绝缘层上，所述第三绝缘层的上表面与设置在所述有源区上的所述第一绝缘层的上表面处于相同的平面。
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