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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体结构与其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113643974B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110367757.4，技术领域涉及：H01L21/311；该发明授权半导体结构与其形成方法是由陈纬伦;黄昭宪;林立德设计研发完成，并于2021-04-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构与其形成方法在说明书摘要公布了：本公开涉及半导体结构与其形成方法，包括沉积介电层于基板上，并沉积图案化层于介电层上。方法亦包括在图案化层上进行第一蚀刻制程，以形成含有第一图案密度的多个第一块状物的第一区与含有第二图案密度的多个第二块状物的第二区，且第二图案密度小于第一图案密度。方法亦包括在第二块状物上进行第二蚀刻制程，以减少每一第二块状物的宽度；以及采用第一块状物与第二块状物并蚀刻介电层与基板，以形成多个鳍状结构。

本发明授权半导体结构与其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，包括： 形成一半导体结构，其具有一基板、一介电层、一下侧图案化层、与一上侧图案化层，其中该介电层位于该基板上，该下侧图案化层位于该介电层上，且该上侧图案化层位于该下侧图案化层上； 在该上侧图案化层上进行一第一蚀刻制程，以形成一图案化的上侧图案化层，其中该图案化的上侧图案化层包括一第一图案密度的一第一区与一第二图案密度的一第二区，且该第二图案密度小于该第一图案密度； 在该下侧图案化层上进行一第二蚀刻制程，以形成一图案化的下侧图案化层，其中该图案化的下侧图案化层包括多个第一块状物于该第一区中与多个第二块状物于该第二区中，且每一所述第二块状物具有一梯形剖视轮廓； 分别以一第一蚀刻速率与一第二蚀刻速率在所述第一块状物与所述第二块状物上进行一第三蚀刻制程，以形成一调整的图案化的下侧图案化层，其中该第一蚀刻速率低于该第二蚀刻速率；以及 采用该图案化的上侧图案化层与该调整的图案化的下侧图案化层作为遮罩，并在该基板与该介电层上进行一第四蚀刻制程以形成多个鳍状物，其中所述多个鳍状物包括所述第一图案密度的多个第一鳍状结构以及所述第二图案密度的多个第二鳍状结构，其中每一所述第二鳍状结构的一第二宽度实质上等于每一所述第一鳍状结构的一第一宽度。

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