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龙图腾网恭喜灵明光子有限公司申请的专利用于直接飞行时间传感器的SPAD像素电路及其方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115461868B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180021474.2，技术领域涉及：H10F39/18；该发明授权用于直接飞行时间传感器的SPAD像素电路及其方法是由吕京颖;康杨森;李爽;臧凯设计研发完成，并于2021-03-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于直接飞行时间传感器的SPAD像素电路及其方法在说明书摘要公布了：本发明总体上涉及感测器件。在具体实施例中，本发明提供了一种SPAD像素器件，该SPAD像素器件包括部分地围封n型材料的p型材料。p型材料与n型材料之间的结是三维的，并且包括水平区域和横向区域。SPAD像素器件还包括将SPAD像素器件与其它器件分离的隔离结构。也存在其它实施例。

本发明授权用于直接飞行时间传感器的SPAD像素电路及其方法在权利要求书中公布了：1.一种背照式BSI单光子雪崩二极管SPAD传感器器件，包括： 硅材料，其具有正侧和背侧； 第一深沟槽结构，其定位于所述硅材料内； 第二深沟槽结构，其定位于所述硅材料内； 孔口，其定位于所述背侧上并且在所述第一深沟槽结构与所述第二深沟槽结构之间； n型材料，其具有立方体结构，所述立方体结构具有第一顶部区域和第一底部区域，所述第一底部区域与所述背侧接界，所述第一顶部区域包括第一侧壁和第二侧壁，所述n型材料由第一宽度表征；所述n型材料的第一底部区域周围构造有n阱结构；所述n阱结构周围构造有保护环结构，所述保护环结构位于第一深沟槽结构与第二深沟槽结构之间； n型接触部，其直接耦合到所述n型材料并且定位于所述第一底部区域内； p型材料，其具有凹型立体结构，所述凹型立体结构倒扣在所述立方体结构的第一顶部区域上方，所述凹型立体结构具有平坦的第二顶部区域和具有凹口部的第二底部区域，所述第二底部区域围封所述第一顶部区域，所述P型材料的第二底部区域高于所述n阱结构的顶部，所述p型材料由第二宽度表征，所述第二宽度大于所述第一宽度；以及 结区，其构造在所述第一顶部区域与所述第二底部区域之间的界面处。

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