买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜福建省晋华集成电路有限公司申请的专利存储器及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111640750B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911171490.0，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权存储器及其形成方法是由赖惠先;林昭维;朱家仪;张钦福设计研发完成，并于2019-11-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本存储器及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种存储器及其形成方法。利用位线和绝缘线界定出第一分格阵列，并在形成位线和绝缘线之后，利用隔离层进一步界定出与第一分格阵列对应的第二分格阵列，从而可以结合第一分格阵列和第二分格阵列界定出节点接触窗，进而可以自对准的填充节点接触结构在节点接触窗中。因此，本发明提供的存储器及其形成方法，在制备节点接触结构时，而并不需要对用于构成节点接触结构的导电材料执行图形化工艺，如此，即可以省略对硬度较大的导电材料执行图形化过程中的刻蚀工艺，有利于提高所形成的节点接触结构的图形精度，并且还可以避免产生聚合物，防止节点接触结构上附着有聚合物。

本发明授权存储器及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种存储器，其特征在于，包括： 衬底，所述衬底中形成有至少一有源区，所述有源区中形成有第一源漏区和第二源漏区； 多条位线和多条绝缘线，形成在所述衬底上，并且所述位线和所述绝缘线相交以界定出第一分格阵列； 隔离层，形成在所述位线和所述绝缘线上，所述隔离层具有第二分格阵列图形，所述隔离层的所述第二分格阵列的图形与所述第一分格阵列的图形位置对应，并且所述第二分格阵列中的各个第二分格与所述第一分格阵列中的各个第一分格上下连通，以构成节点接触窗；以及， 节点接触结构，填充在所述节点接触窗中，并且所述节点接触结构的顶表面高于所述位线和所述绝缘线的顶表面； 所述隔离层包括：形成在所述位线的顶表面上的第一隔离部，以及形成在所述绝缘线的顶表面上的第二隔离部；其中，所述第一隔离部在垂直于位线的延伸方向上的宽度尺寸小于所述位线的宽度尺寸，以及所述第二隔离部在垂直于绝缘线的延伸方向上的宽度尺寸小于所述绝缘线的宽度尺寸。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人福建省晋华集成电路有限公司，其通讯地址为：362200 福建省泉州市晋江市集成电路科学园联华大道88号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。