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龙图腾网恭喜浙江广芯微电子有限公司申请的专利一种碳化硅高压MOS结构快速验证方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119939197B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510428424.6，技术领域涉及：G06F18/21；该发明授权一种碳化硅高压MOS结构快速验证方法及系统是由谢刚;刘斌凯;潘文杰设计研发完成，并于2025-04-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种碳化硅高压MOS结构快速验证方法及系统在说明书摘要公布了：本发明公开了一种碳化硅高压MOS结构快速验证方法及系统，涉及半导体器件相关技术领域，该方法包括：对碳化硅高压MOS结构进行动态周期监测得到全周期输出特性，并提取第一输出特性；读取预定趋势对比策略，并基于预定趋势对比策略将分析第一输出特性得到的第一IV特性曲线与理想IV特性曲线进行对比，得到第一相配度；引入预定反馈校准函数对第一相配度进行校准调整，得到第一目标相配度；将第一目标相配度作为碳化硅高压MOS结构的第一结构有效性指数。解决了现有技术中存在的碳化硅高压MOS结构验证效率低且误差较大的技术问题，达到了提高验证效率和验证结果准确性的技术效果。

本发明授权一种碳化硅高压MOS结构快速验证方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅高压MOS结构快速验证方法，其特征在于，包括： 对碳化硅高压MOS结构进行动态周期监测得到全周期输出特性，并提取所述全周期输出特性中第一周期的第一输出特性； 读取预定趋势对比策略，并基于所述预定趋势对比策略将分析所述第一输出特性得到的第一IV特性曲线与理想IV特性曲线进行对比，得到第一相配度； 引入预定反馈校准函数对所述第一相配度进行校准调整，得到第一目标相配度； 将所述第一目标相配度作为所述碳化硅高压MOS结构的第一结构有效性指数； 读取预定趋势对比策略，并基于所述预定趋势对比策略将分析所述第一输出特性得到的第一IV特性曲线与理想IV特性曲线进行对比，得到第一相配度，还包括： 提取所述全周期输出特性中第二周期的第二输出特性； 基于所述预定趋势对比策略将分析所述第二输出特性得到的第二IV特性曲线与所述理想IV特性曲线进行对比，得到第二相配度； 以所述第二相配度对所述第一相配度进行验证； 根据阶段划分预案对所述第二输出特性进行阶段划分，得到第二阶段划分结果； 提取所述第二阶段划分结果中任意阶段对应的任意输出特性； 分析所述任意输出特性并绘制任意电流-电压散点图； 基于随机采样一致性原理对所述任意电流-电压散点图进行曲线拟合分析，得到任意样条曲线； 将所述任意样条曲线与所述理想IV特性曲线进行重叠对比分析，得到任意重叠度； 加权标准化处理后的所述任意重叠度得到所述第二相配度； 基于随机采样一致性原理对所述任意电流-电压散点图进行曲线拟合分析，得到任意样条曲线，包括： 步骤A：基于随机采样一致性原理获取所述任意电流-电压散点图的第一样条散点集； 步骤B：基于所述第一样条散点集拟合得到第一样条曲线； 步骤C：将所述第一样条散点集与所述任意电流-电压散点图的总散点集进行对比，得到第一非样条散点集； 步骤D：通过所述第一非样条散点集对所述第一样条曲线进行支持率分析，得到第一支持率； 步骤E：当所述第一支持率达到预定支持门限时，将所述第一样条曲线作为所述任意样条曲线。

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