恭喜开普勒计算公司R·K·多卡尼亚获国家专利权
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龙图腾网恭喜开普勒计算公司申请的专利3D集成超高带宽存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113826202B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080035818.0，技术领域涉及：H10B80/00；该发明授权3D集成超高带宽存储器是由R·K·多卡尼亚;S·马尼帕特鲁尼;A·马图瑞亚;D·奥劳斯比坎设计研发完成，并于2020-05-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本3D集成超高带宽存储器在说明书摘要公布了：一种改进AI处理系统的性能的封装技术。IC封装包括：衬底；在衬底上的第一管芯和堆叠在第一管芯上的第二管芯。第一管芯包括存储器并且第二管芯包括计算逻辑。第一管芯包括具有比特单元的DRAM。第一管芯的存储器可以存储输入数据和权重因子。第二管芯的计算逻辑耦合到第一管芯的存储器。在一个示例中，第二管芯是推理管芯，其将已训练模型的固定权重应用于输入数据以生成输出。在一个示例中，第二管芯是使得能够学习权重的训练管芯。通过将第一管芯放置在第二管芯下方来改变超高带宽。两个管芯是经由微凸块而晶片对晶片接合或耦合的。
本发明授权3D集成超高带宽存储器在权利要求书中公布了：1.一种具有高带宽存储器的装置，所述装置包括： 衬底； 在所述衬底上的第一管芯，其中，所述第一管芯包括具有比特单元的动态随机存取存储器DRAM，其中，每个比特单元包括存取晶体管和电容器；以及 堆叠在所述第一管芯上的第二管芯，其中，所述第二管芯包括计算块，所述计算块耦合到所述第一管芯的DRAM， 其中，所述第一管芯和所述第二管芯经由以下各项中的至少一个耦合：微凸块、铜对铜混合接合或引线接合，其中，所述第一管芯包括硅通孔TSV，并且其中，TSV的数量实质上小于所述微凸块的数量。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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