买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜珠海格力电器股份有限公司;珠海零边界集成电路有限公司申请的专利沟槽型IGBT及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111180338B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010103077.7，技术领域涉及：H10D12/01；该发明授权沟槽型IGBT及其制备方法是由谢梓翔;史波;肖婷;陈茂麟设计研发完成，并于2020-02-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本沟槽型IGBT及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种沟槽型IGBT及其制备方法。该制备方法包括以下步骤：S1，提供具有发射区的基体，形成贯穿基体的第一表面和发射区的沟槽；S2，形成覆盖沟槽和第一表面的第一栅氧层，并形成覆盖第一栅氧层的栅极层，栅极层中的部分填充于沟槽中；S3，在沟槽之间的基体中形成贯穿栅极层和第一栅氧层并延伸至发射区内的接触孔，在接触孔的部分表面形成第二栅氧层，并在接触孔中形成发射极，第二栅氧层隔离发射极和栅极层。该制备方法通过上述第二栅氧层隔离发射极和栅极层，有效避免了栅极和发射极短接而导致的IGBT失效。并且，上述制备方法中还能够进一步通过增大接触孔与发射区的接触面积，使得接触孔与发射区之间的过电流能力增强。

本发明授权沟槽型IGBT及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种沟槽型IGBT的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： S1，提供具有发射区的基体，形成贯穿所述基体的第一表面和所述发射区的沟槽； S2，形成覆盖所述沟槽和所述第一表面的第一栅氧层，并形成覆盖所述第一栅氧层的栅极层，所述栅极层中的部分填充于所述沟槽中； S3，在所述沟槽之间的所述基体中形成贯穿所述栅极层和所述第一栅氧层并延伸至所述发射区内的接触孔，在所述接触孔的部分表面形成第二栅氧层，并在所述接触孔中形成发射极，所述第二栅氧层隔离所述发射极和所述栅极层； 所述步骤S3包括： 形成覆盖所述栅极层的层间介质层； 形成从所述层间介质层的表面贯穿至所述发射区内的所述接触孔，在所述接触孔底部填充第一发射极材料，所述第一发射极材料的上表面低于位于所述第一表面上的所述第一栅氧层的下表面； 形成覆盖所述接触孔的裸露表面的所述第二栅氧层； 在所述接触孔中除所述第二栅氧层之外的区域填充第二发射极材料，所述第二发射极材料与所述第一发射极材料接触构成所述发射极。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人珠海格力电器股份有限公司;珠海零边界集成电路有限公司，其通讯地址为：519070 广东省珠海市前山金鸡西路六号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。