买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉上海集成电路研发中心有限公司申请的专利集成芯片及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116110906B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111333497.5，技术领域涉及：H10D84/83；该发明授权集成芯片及其制作方法是由刘洋;赵慧设计研发完成，并于2021-11-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本集成芯片及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供的集成芯片的制作方法包括：提供包括NMOS区和PMOS区的基底，基底上表面形成有包括至少两个间隔层和位于相邻两个间隔层之间的第一半导体层的堆叠层；去除PMOS区上堆叠层的部分厚度形成凹槽，并形成第二半导体层填满凹槽；在NMOS区上形成第一掩模结构并在PMOS区上形成第二掩模结构，第一掩模结构的截面宽度大于第二掩模结构的截面宽度；向下刻蚀并停止在基底的上表面，在NMOS区上形成第一堆栈结构以及在PMOS区上形成第二堆栈结构；去除第一和第二堆栈结构中的间隔层，保留第一半导体层作为纳米片沟道，且保留第二半导体层作为鳍式沟道。如此可以在NMOS区和PMOS区形成不同形状的沟道，有助于同时提升NMOS管和PMOS管的性能。本发明还提供一种集成芯片。

本发明授权集成芯片及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种集成芯片的制作方法，其特征在于，包括： 提供基底，所述基底包括NMOS区以及位于所述NMOS区侧边的PMOS区，所述基底上形成有覆盖所述基底上表面的堆叠层，所述堆叠层包括至少两个间隔层和位于相邻两个所述间隔层之间的第一半导体层； 刻蚀所述堆叠层并停止在所述堆叠层中最靠近所述基底的间隔层中，以去除所述PMOS区上所述堆叠层的部分厚度以形成凹槽； 形成第二半导体层，所述第二半导体层填满所述凹槽； 在所述NMOS区上形成第一掩模结构并在所述PMOS区上形成第二掩模结构，所述第一掩模结构和所述第二掩模结构均沿平行于所述基底上表面的第一方向伸长，在平行于所述基底上表面且垂直于所述第一方向的第二方向上，所述第一掩模结构的截面宽度大于所述第二掩模结构的截面宽度； 以所述第一掩模结构和所述第二掩模结构为掩膜，向下刻蚀所述堆叠层和所述第二半导体层并停止在所述基底的上表面，在所述NMOS区上形成第一堆栈结构以及在所述PMOS区上形成第二堆栈结构； 去除所述第一堆栈结构和所述第二堆栈结构中的所述间隔层，保留所述第一半导体层作为纳米片沟道，且保留所述第二半导体层作为鳍式沟道。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人上海集成电路研发中心有限公司，其通讯地址为：201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路497号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。