泉州市三安集成电路有限公司朱庆芳获国家专利权
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龙图腾网获悉泉州市三安集成电路有限公司申请的专利嵌入式电容结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114094012B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111256335.6，技术领域涉及：H10D1/68；该发明授权嵌入式电容结构及其制作方法是由朱庆芳设计研发完成，并于2021-10-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本嵌入式电容结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种嵌入式电容结构及其制作方法，该电容结构包括具有一定深度的沟渠的衬底，在沟渠底部上依次设有沿沟渠的深度方向多层间隔的电极结构，电极结构包括电极层以及电极层周围的粘合层和第一介质层，第一介质层和粘合层依次包裹在电极层的侧壁，电极结构通过粘合层附着在沟渠的侧壁上，粘合层还包覆在电极层和第一介质层的底面，相邻间隔的两个所述电极结构之间设有第二介质层，相邻间隔的两个所述电极结构及其中间的第二介质层构成一组电容结构。采用DRIE与深度终点探测工艺形成具有垂直侧壁的沟渠，电容结构的厚度、面积和形状可以根据需求进行调整，并实现电容值的可变控制，最终达到优化效能的目标。
本发明授权嵌入式电容结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种嵌入式电容结构，其特征在于，包括具有一定深度的沟渠的衬底，在所述沟渠底部上依次设有沿所述沟渠的深度方向多层间隔的电极结构，所述电极结构包括电极层以及所述电极层周围的第一介质层和粘合层，所述第一介质层和粘合层依次包裹在所述电极层的侧壁，所述电极结构通过所述粘合层附着在所述沟渠的侧壁上，所述粘合层还包覆在所述电极层和所述第一介质层的底面，相邻间隔的两个所述电极结构之间设有第二介质层，至少一组相邻间隔的两个所述电极结构及其中间的第二介质层构成至少一组电容结构，相邻间隔的两组电容结构之间设有第三介质层或空气层，至少两组电容结构与其中间的第三介质层或空气层层叠设置在沟渠里面构成嵌入式电容。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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