新思考电机有限公司韦华获国家专利权
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龙图腾网获悉新思考电机有限公司申请的专利一种低光轴补偿结构及马达获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110957863B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911348413.8，技术领域涉及：H02K11/215；该发明授权一种低光轴补偿结构及马达是由韦华设计研发完成，并于2019-12-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种低光轴补偿结构及马达在说明书摘要公布了：本发明公开了一种低光轴补偿结构及马达，该低光轴补偿结构包括：芯片；载体，载体的左右两侧分别设有左侧绕线圈和右侧绕线圈，左侧绕线圈和右侧绕线圈分别独立地与芯片相连接；霍尔磁铁，设置在左侧绕线圈和右侧绕线圈之间，且霍尔磁铁位于载体的上部；角度磁场变化检测单元，设置在霍尔磁铁的下方，角度磁场变化检测单元用于检测载体角度磁场的变化。本发明中，当霍尔磁铁下方的角度磁场变化检测单元感测载体角度位置的变化时，角度磁场变化检测单元将角度位置变化的信号传输给芯片，芯片通过控制左侧绕线圈或右侧绕线圈电流大小变化，来平衡角度的变化，继而达到最优的光轴，本发明还具有检测精度高、调节简单方便等优点。
本发明授权一种低光轴补偿结构及马达在权利要求书中公布了：1.一种低光轴补偿结构，其特征在于，包括： 芯片； 载体，所述载体的左右两侧分别设有左侧绕线圈和右侧绕线圈，所述左侧绕线圈和右侧绕线圈分别独立地与所述芯片相连接； 霍尔磁铁，设置在所述左侧绕线圈和右侧绕线圈之间，且所述霍尔磁铁位于所述载体的上部； 角度磁场变化检测单元，设置在所述霍尔磁铁的下方，所述角度磁场变化检测单元用于检测所述载体角度磁场的变化； 当所述角度磁场变化检测单元检测到所述载体角度超过设定范围时，所述角度磁场变化检测单元发出信号至所述芯片，所述芯片通过控制所述左侧绕线圈或右侧绕线圈的电流来平衡所述载体的角度； 所述载体的左右两侧分别设有AF磁石，所述左侧绕线圈和右侧绕线圈分别设置在所述AF磁石的相对内侧； 所述左侧绕线圈和右侧绕线圈的结构相同，且形状均长环型；AF磁石的截面面积大于左侧绕线圈和右侧绕线圈的截面面积。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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