中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所唐文婷获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所申请的专利高压倒装LED光源获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112234133B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910634703.2，技术领域涉及：H10H20/853；该发明授权高压倒装LED光源是由唐文婷;蔡勇设计研发完成，并于2019-07-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本高压倒装LED光源在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高压倒装LED光源，其包括导热基板和高压倒装LED芯片，所述芯片的第一表面具有电极，第二表面为出光面，所述第一表面与第二表面相背对设置，所述导热基板表面形成有至少一凸台，其中至少一所述芯片的第一表面通过导热绝缘连接胶与一所述凸台的顶端面连接。所述芯片包括电极区与发光区，所述电极区与发光区间隔设置。本发明的高压倒装LED光源中，所述芯片可以与基板无缝结合，且可避免出现连接胶溢流到导电电极处的问题，从而既可保障电学连接的有效性，亦可增强LED倒装芯片的散热均匀性，同时采用的LED芯片为单片集成大功率高压倒装LED芯片，具有稳定性好、抗失效率高、面积利用率高等特点。
本发明授权高压倒装LED光源在权利要求书中公布了：1.一种高压倒装LED光源，其特征在于，包括： 高压倒装LED芯片，其为单片集成大功率高压倒装LED芯片，并包括电极区与发光区，所述电极区与发光区间隔设置，所述发光区包括多个能独立发光的单胞，所述多个单胞串联和或并联设置，所述多个单胞与电极区电连接，且所述LED芯片具有相背对的第一表面和第二表面，所述第一表面具有电极，所述第二表面为出光面，以及，所述LED芯片内还分布有气体存储空间，所述气体存储空间包括形成于单胞之间的槽状结构； 导热基板，其表面形成有至少一凸台，一所述LED芯片的第一表面通过导热绝缘连接胶与一所述凸台的顶端面连接，所述凸台与所述LED芯片的发光区大小匹配； 并且，所述发光区与电极区之间的间距满足如下条件：在将所述LED芯片的第一表面通过导热绝缘连接胶与所述凸台的顶端面连接的过程中，无导热绝缘连接胶溢流到电极区表面； 所述气体存储空间用于容纳从所述导热绝缘连接胶中排放出的气体。
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