浙江格源新材料科技有限公司张怀文获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉浙江格源新材料科技有限公司申请的专利一种多阶有序硅碳负极材料的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120117591B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510614836.9，技术领域涉及：H01M4/583；该发明授权一种多阶有序硅碳负极材料的制备方法是由张怀文;余喜庆;谢菲;徐泉设计研发完成，并于2025-05-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种多阶有序硅碳负极材料的制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种多阶有序硅碳负极材料的制备方法，包括以下步骤：（S1）对多孔碳进行化学气相沉积，得硅含量20~30wt%的硅碳前驱体I；（S2）依次利用小分子气体A、有机锂盐对硅碳前驱体I进行热处理，得硅碳前驱体II，所述小分子气体A为CO2、N2O、CO中的至少一种；（S3）对硅碳前驱体II进行化学气相沉积，得硅炭前驱体III；（S4）依次利用小分子气体B、有机锂盐对硅碳前驱体III进行热处理，得硅碳前驱体IV，所述小分子气体B为水蒸气、O2中的至少一种；（S5）对硅碳前驱体IV进行碳包覆，得多阶有序硅碳负极材料。本发明的制备方法使多孔碳的孔隙得到高效利用的同时实现了硅的分阶段连续均匀分布。
本发明授权一种多阶有序硅碳负极材料的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种多阶有序硅碳负极材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： （S1）利用硅烷气体对多孔碳进行化学气相沉积，获得硅含量在20~30wt%的硅碳前驱体I； （S2）依次利用小分子气体A、有机锂盐对硅碳前驱体I在惰性气氛下分别于350~500℃、300~350℃进行热处理，得到硅碳前驱体II，所述小分子气体A为CO2、N2O、CO中的至少一种； （S3）利用硅烷气体对硅碳前驱体II进行化学气相沉积，获得硅炭前驱体III； （S4）依次利用小分子气体B、有机锂盐对硅碳前驱体III在惰性气氛下分别于250~350℃、300~350℃进行热处理，得到硅碳前驱体IV，所述小分子气体B为水蒸气、O2中的至少一种； （S5）利用气相碳源对硅碳前驱体IV进行碳包覆，获得多阶有序硅碳负极材料。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人浙江格源新材料科技有限公司，其通讯地址为：324000 浙江省衢州市衢江区东港一路39号1幢2号、3号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号