合肥晶合集成电路股份有限公司程挚获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利双浅沟槽隔离结构及其制备方法和CMOS图像传感器获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN120109084B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-11发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202510604824.8,技术领域涉及:H01L21/762;该发明授权双浅沟槽隔离结构及其制备方法和CMOS图像传感器是由程挚;方晓宇;刁勤超;朱正浩设计研发完成,并于2025-05-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本双浅沟槽隔离结构及其制备方法和CMOS图像传感器在说明书摘要公布了:本发明属于半导体制造技术领域,公开了一种双浅沟槽隔离结构及其制备方法和CMOS图像传感器,方法包括:对第一沟槽开口和第二沟槽开口的底端实施第一次离子注入;对第一沟槽开口的底端实施第二次离子注入;进行退火处理,分别在第一沟槽开口的底端形成第一氧化区域,在第二沟槽开口的底端形成第二氧化区域;刻蚀第一氧化区域和第二氧化区域,形成双浅沟槽隔离结构;本发明基于二氧化硅和硅的刻蚀选择比高的特性,通过两次离子注入和一次氧化区域的刻蚀工艺,实现精确控制双浅沟槽隔离结构的深度和形状,在保证隔离效果的同时能够提高制造效率;同时,能够确保双浅沟槽隔离结构的轮廓连续性,保证器件的整体性能和可靠性。
本发明授权双浅沟槽隔离结构及其制备方法和CMOS图像传感器在权利要求书中公布了:1.一种双浅沟槽隔离结构的制备方法,其特征在于,包括: 对第一沟槽开口(7)和第二沟槽开口(8)的底端实施第一次离子注入; 对第一沟槽开口(7)的底端实施第二次离子注入; 进行退火处理,分别在第一沟槽开口(7)的底端形成第一氧化区域(10),在第二沟槽开口(8)的底端形成第二氧化区域(11); 刻蚀第一氧化区域(10)和第二氧化区域(11),形成双浅沟槽隔离结构; 对双浅沟槽隔离结构实施氟离子注入; 刻蚀双浅沟槽隔离结构中第一浅沟槽隔离结构内残留的氧化物,形成无氧化残留的双浅沟槽隔离结构。
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