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龙图腾网获悉英诺赛科(苏州)半导体有限公司申请的专利氮化镓半导体器件及其封装方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111244074B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010162714.8，技术领域涉及：H01L25/07；该发明授权氮化镓半导体器件及其封装方法是由姚卫刚设计研发完成，并于2020-03-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本氮化镓半导体器件及其封装方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种氮化镓半导体器件及其封装方法，氮化镓半导体器件包括晶体管、二极管、密封材料、第一电气互连件和第二电气互连件。晶体管包括第一基板、栅极、源极和漏极，栅极、源极和漏极均位于第一基板的正面。二极管包括第二基板、阳极和阴极，阳极和阴极中的至少一个位于第二基板的正面，第一基板的背面与第二基板的背面粘结固定。密封材料至少部分包裹晶体管和二极管，第一电气互连件将源极与阳极电连接，第二电气互连件将漏极与阴极电连接，第一电气互连件和第二电气互连件两者中的至少一个穿过密封材料。该氮化镓半导体器件能够减小寄生电感和寄生电阻，且能够缩小单颗芯片面积。

本发明授权氮化镓半导体器件及其封装方法在权利要求书中公布了：1.氮化镓半导体器件，其特征在于，包括： 晶体管，所述晶体管包括第一基板、栅极、源极和漏极，所述栅极、所述源极和所述漏极均位于所述第一基板的正面； 二极管，所述二极管包括第二基板、阳极和阴极，所述阳极和所述阴极中的至少一个位于所述第二基板的正面，所述第一基板的背面与所述第二基板的背面粘结固定； 密封材料，所述密封材料至少部分包裹所述晶体管和所述二极管； 第一电气互连件，所述第一电气互连件将所述源极与所述阳极电连接； 第二电气互连件，所述第二电气互连件将所述漏极与所述阴极电连接； 所述二极管为纵向PN结二极管； 所述密封材料中开设有穿玻通孔，所述第一电气互连件位于所述穿玻通孔内； 所述晶体管中开设有穿硅通孔，所述第二电气互连件位于所述穿硅通孔内； 所述第一基板的背面设置有第一金属层，所述第一金属层与所述漏极通过所述第二电气互连件电连接； 所述第二基板的背面设置有与所述第一金属层电连接的第二金属层，所述第二金属层与所述阴极电连接； 所述第一金属层与所述第二金属层通过导电胶粘结固定。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人英诺赛科(苏州)半导体有限公司，其通讯地址为：215000 江苏省苏州市吴江区黎里镇汾湖大道558号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。