晶元光电股份有限公司陈孟扬获国家专利权
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龙图腾网获悉晶元光电股份有限公司申请的专利半导体叠层、半导体元件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111384219B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911373222.7，技术领域涉及：H10H20/824；该发明授权半导体叠层、半导体元件及其制造方法是由陈孟扬;李荣仁设计研发完成，并于2019-12-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体叠层、半导体元件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种半导体叠层、半导体元件及其制造方法。半导体元件包含第一半导体层以及发光结构。第一半导体层包含第一III‑V族半导体材料、第一掺杂物及第二掺杂物。发光结构位于第一半导体层上且包含活性结构。在第一半导体层中，第二掺杂物的浓度大于第一掺杂物的浓度，且第一掺杂物为碳，第二掺杂物为氢。
本发明授权半导体叠层、半导体元件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体元件，其特征在于，包含： 第一半导体层，包含第一III-V族半导体材料、第一掺杂物、第二掺杂物及第三掺杂物； 第二半导体层，位于该第一半导体层下且包含第二III-V族半导体材料； 发光结构，位于该第一半导体层上且包含活性结构；以及 第三半导体层，位于该第一半导体层及该发光结构之间，且包含第三III-V族半导体材料及该第三掺杂物； 其中，在该第一半导体层中，该第二掺杂物的浓度大于该第一掺杂物的浓度，该第一掺杂物为碳，该第二掺杂物为氢，且该第三掺杂物在该第一半导体层中的浓度低于该第三掺杂物在该第三半导体层中的浓度。
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