长鑫存储技术有限公司李佳龙获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113035838B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911351118.8，技术领域涉及：H01L23/535；该发明授权半导体结构及其制备方法是由李佳龙;王蒙蒙设计研发完成，并于2019-12-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种半导体结构的制备方法，包括以下步骤：提供介电层；于介电层内或介电层的表面形成低介电常数材料层，且与介电层内形成导线层，低介电常数材料层至少位于相邻导线层之间。使得在半导体结构中同层相邻铜线之间的寄生电容减小，工艺易于操作与控制，因此能够准确的控制工艺过程，达到有效减小半导体结构中同层相邻铜线之间的寄生电容的效果，提升器件的可靠性和使用寿命。
本发明授权半导体结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 提供介电层； 于所述介电层内形成导线层； 于所述介电层上形成凹槽，所述凹槽位于相邻所述导线层之间； 至少于所述凹槽的侧壁及底部形成低介电常数材料层，所述低介电常数材料层至少位于相邻所述导线层之间，位于所述介电层内且位于相邻所述导线层之间的所述低介电常数材料层包括一体连接的水平部和倾斜部，所述倾斜部位于所述水平部的两侧，且所述倾斜部的底部与所述水平部相连接； 于所述介电层的表面形成保护层，所述保护层覆盖所述介电层、所述低介电常数材料层及所述导线层的表面，所述保护层包括填充所述凹槽的嵌入部分，所述嵌入部分的底部低于所述导线层的顶面。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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