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龙图腾网获悉石家庄铁道大学申请的专利一种抗过电压抗电磁干扰SiC MOSFET场限环与微流道互联结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120166757B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510650449.0，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权一种抗过电压抗电磁干扰SiC MOSFET场限环与微流道互联结构是由杨帅;吴家奇;张光磊;田净汁;李进杰;杨光;高国良;王子洋;曾晟峰;赵青松设计研发完成，并于2025-05-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种抗过电压抗电磁干扰SiC MOSFET场限环与微流道互联结构在说明书摘要公布了：本发明公开了一种抗过电压抗电磁干扰SiCMOSFET场限环与微流道互联结构，涉及功率半导体器件封装领域，包括由上至下依次封装的上覆铜陶瓷基板、缓冲层、SiCMOSFET芯片、下基板纳米银焊料层及下覆铜陶瓷基板；其中，SiCMOSFET芯片包括微流道芯片入口、微流道芯片出口、芯片内沟槽式场限环微流道、栅极金属、源极金属及结终端。本发明有效提升SiCMOSFET在过电压工况下的稳定性与可靠性，降低在高工作频率下的电磁干扰，使其能更好地适应各种电力电子应用场景；通过沟槽式场限环与氮化硅陶瓷基板微流道耦合封装结构，可调控在遭受雷击、操作过电压等过电压冲击时的散热效率。

本发明授权一种抗过电压抗电磁干扰SiC MOSFET场限环与微流道互联结构在权利要求书中公布了：1.一种抗过电压抗电磁干扰SiCMOSFET场限环与微流道互联结构，其特征在于，包括由上至下依次封装的上覆铜陶瓷基板、缓冲层、SiCMOSFET芯片（8）、下基板纳米银焊料层（9）及下覆铜陶瓷基板； 其中，所述SiCMOSFET芯片（8）包括微流道芯片入口（28）、微流道芯片出口（29）、芯片内沟槽式场限环微流道（31）、栅极金属（26）、源极金属（27）及结终端（30）； 所述结终端（30）将所述栅极金属（26）及所述源极金属（27）包围在中心，所述微流道芯片入口（28）、微流道芯片出口（29）位于靠近所述栅极金属（26）的结终端（30）顶部，所述芯片内沟槽式场限环微流道（31）位于所述SiCMOSFET芯片（8）内顶部； 所述上覆铜陶瓷基板包括上Si3N4层（2），所述上Si3N4层（2）为扁平的长方体； 所述上Si3N4层（2）底部一侧开设有微流道芯片入口连接管（16）与微流道芯片出口连接管（17）； 所述上Si3N4层（2）内部两侧设置有第一微流道（33）与第二微流道（34），所述上Si3N4层（2）远离所述微流道芯片入口连接管（16）的一侧开设有微流道入口（32）与微流道出口（35），所述第一微流道（33）与所述微流道入口（32）连通，所述第二微流道（34）与所述微流道出口（35）连通。

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