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龙图腾网获悉材料科学姑苏实验室申请的专利InGaN波导层的制备方法及半导体激光器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120149938B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510624905.4，技术领域涉及：H01S5/028；该发明授权InGaN波导层的制备方法及半导体激光器是由郭丽彬;乔晓峰;周大勇设计研发完成，并于2025-05-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本InGaN波导层的制备方法及半导体激光器在说明书摘要公布了：本申请公开了一种InGaN波导层的制备方法及半导体激光器，涉及半导体光电器件技术领域。制备方法包括在反应腔体内通入氢气、氮气、氨气和金属源，反应第一预设时间，氢气的第一分压为50%‑65%中任一值；控制氢气的第二分压为40%‑50%中任一值，并继续反应第二预设时间；控制氢气的第三分压为50%‑65%中任一值，并反应第三预设时间，制备获得InGaN波导层；其中，氨气与金属源的VIII比为500‑1500:1中任一值，以制备厚度为200nm‑320nm中任一值、In含量为6%‑11%中任一值的InGaN波导层，同时保证InGaN波导层具有较低的缺陷密度，较高的晶体生长质量。

本发明授权InGaN波导层的制备方法及半导体激光器在权利要求书中公布了：1.一种InGaN波导层的制备方法，其特征在于，所述InGaN波导层用于蓝光激光器的制备，所述InGaN波导层的厚度为200nm-320nm中任一值、In含量为6%-11%中任一值，所述制备方法包括： 在反应腔体内通入氢气、氮气、氨气和金属源，反应第一预设时间，所述氢气的第一分压为50%-65%中任一值； 控制所述氢气的第二分压为40%-50%中任一值，并继续反应第二预设时间； 控制所述氢气的第三分压为50%-65%中任一值，并反应第三预设时间，制备获得所述InGaN波导层； 其中，所述氨气与所述金属源的VIII比为500-1500:1中任一值，所述第一预设时间与所述第二预设时间的所述InGaN波导层的生长速率比值为1.5-2.5中任一值，所述第一预设时间的反应温度低于第二预设时间的反应温度且温度差值为20℃-50℃中任一值，所述金属源为镓源和铟源，所述第二预设时间的所述铟源的流量为70sccm-150sccm中任一值，所述第一预设时间与所述第二预设时间的所述铟源的流量比值为1.5-2.0中任一值，所述第三预设时间与所述第一预设时间内的生长速率、反应温度和所述铟源的流量相同，所述氨气的流量为15slm-40slm中任一值； 所述第二预设时间内所述InGaN波导层的生长速率为0.04μmh-0.15μmh中任一值； 所述第二预设时间的反应温度为700℃-900℃中任一值。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人材料科学姑苏实验室，其通讯地址为：215000 江苏省苏州市工业园区若水路388号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。