通威微电子有限公司李大龙获国家专利权
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龙图腾网获悉通威微电子有限公司申请的专利一种二极管及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120129254B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510608901.7，技术领域涉及：H10D8/00；该发明授权一种二极管及其制作方法是由李大龙设计研发完成，并于2025-05-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种二极管及其制作方法在说明书摘要公布了：本申请提供了一种二极管及其制作方法，涉及半导体技术领域。该二极管包括位于外延片表面的终端区与有源区；有源区包括复合结构与多个P柱，多个P柱之间间隔设置，复合结构包括第一P区与位于第一P区两侧的第二P区、第三P区，第一P区、第二P区以及第三P区间隔设置，第一P区的宽度大于第二P区、第三P区以及P柱的宽度，第二P区、第三P区的底部设置为阶梯型，且第二P区、第三P区的深度大于第一P区的深度；其中，当二极管处于浪涌电流工况时，第一P区用于提供浪涌电流主通道，第二P区与第三P区用于分摊部分浪涌电流。本申请具有实现了标称正向传导能力、浪涌电流处理能力以及单位芯片成本之间的平衡的优点。
本发明授权一种二极管及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种二极管，其特征在于，所述二极管包括： N型外延片； 位于所述N型外延片表面的终端区与有源区；其中，所述有源区包括复合结构与多个P柱，所述多个P柱之间间隔设置，且所述复合结构与两侧的P柱之间也间隔设置； 所述复合结构包括第一P区与位于所述第一P区两侧的第二P区、第三P区，所述第一P区、所述第二P区以及所述第三P区间隔设置，所述第一P区的宽度大于所述第二P区、所述第三P区以及所述P柱的宽度，所述第二P区、所述第三P区的底部设置为阶梯型，且所述第二P区、所述第三P区的深度大于所述第一P区的深度；其中，当所述二极管处于浪涌电流工况时，所述第一P区用于提供浪涌电流主通道，所述第二P区与所述第三P区用于分摊部分浪涌电流； 位于所述第一P区、所述第二P区以及所述第三P区表面的欧姆接触层； 位于所述终端区表面的钝化保护层； 位于所述有源区表面的第一金属层； 位于所述外延片背面的第二金属层。
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