三星显示有限公司安珍星获国家专利权
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龙图腾网获悉三星显示有限公司申请的专利显示装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113363287B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110208318.9，技术领域涉及：H10K59/121；该发明授权显示装置是由安珍星;成硕济;李知嬗;孙世完设计研发完成，并于2021-02-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本显示装置在说明书摘要公布了：显示装置包括：基板；包括驱动晶体管的沟道以及第七晶体管的沟道的多晶半导体层；驱动晶体管的与其沟道重叠的栅电极；第七晶体管的与其沟道重叠的栅电极；包括第四晶体管的沟道的氧化物半导体层；第四晶体管的与其沟道重叠的栅电极；连接至第四晶体管的第一电极的第一初始化电压线，第一初始化电压线和第四晶体管的栅电极位于同一层上；以及连接至第七晶体管的第二电极的第二初始化电压线，第二初始化电压线和第一初始化电压线位于彼此不同的层上。
本发明授权显示装置在权利要求书中公布了：1.一种显示装置，包括： 基板； 位于所述基板上的多晶半导体层，所述多晶半导体层包括驱动晶体管的沟道、第一电极和第二电极以及第七晶体管的沟道、第一电极和第二电极； 所述驱动晶体管的栅电极，与所述驱动晶体管的所述沟道重叠； 所述第七晶体管的栅电极，与所述第七晶体管的所述沟道重叠； 位于所述基板上的氧化物半导体层，所述氧化物半导体层包括第四晶体管的沟道、第一电极和第二电极； 所述第四晶体管的栅电极，与所述第四晶体管的所述沟道重叠； 第一初始化电压线，连接至所述第四晶体管的所述第一电极，其中所述第一初始化电压线和所述第四晶体管的所述栅电极位于同一层上；以及 第二初始化电压线，连接至所述第七晶体管的所述第二电极，其中所述第二初始化电压线和所述第一初始化电压线位于彼此不同的层上。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星显示有限公司，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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