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龙图腾网获悉中芯集成电路(宁波)有限公司申请的专利一种红外传感器及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114078998B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010833816.8，技术领域涉及：H10N10/01；该发明授权一种红外传感器及其制造方法是由石虎;刘孟彬;向阳辉设计研发完成，并于2020-08-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种红外传感器及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种红外传感器及其制造方法，红外传感器的制造方法包括：提供临时衬底；在临时衬底上形成热电结构，热电结构包括至少一组热电偶对；提供第一衬底，第一衬底内具有电路；在第一衬底上或者在热电结构上形成键合层；在键合层内形成空腔和第一通孔，空腔和第一通孔贯穿键合层；通过键合层键合第一衬底与热电结构，第一通孔暴露出部分热电偶对表面；去除临时衬底；在第一衬底上形成第二通孔，第二通孔贯穿第一衬底，且与第一通孔相通；在第一通孔和第二通孔内形成电连接结构，电连接结构连接热电偶对和外部电路。

本发明授权一种红外传感器及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种红外传感器的制造方法，其特征在于，包括： 提供临时衬底； 在所述临时衬底上形成热电结构，所述热电结构包括至少一组热电偶对； 提供第一衬底，所述第一衬底内具有电路； 在所述第一衬底上或者在所述热电结构上形成键合层； 在所述键合层内形成空腔和第一通孔，所述空腔和第一通孔贯穿所述键合层； 通过所述键合层键合所述第一衬底与所述热电结构，所述第一通孔暴露出部分所述热电偶对表面； 去除所述临时衬底； 在所述第一衬底上形成第二通孔，所述第二通孔贯穿所述第一衬底，且与所述第一通孔相通； 在所述第一通孔和第二通孔内形成电连接结构，所述电连接结构连接所述热电偶对和外部电路； 所述空腔和所述第一通孔在同一工艺步骤中形成； 形成所述热电结构之后，在所述热电结构上形成所述键合层之前，还包括：在所述热电结构表面形成支撑层；所述支撑层内具有贯穿支撑层的第三通孔，所述第一通孔与所述第三通孔相通；所述电连接结构填充所述第三通孔； 所述键合层的材料为可光刻材料，所述可光刻材料包括干膜，在所述键合层内通过光刻工艺形成所述空腔和第一通孔。

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