北京华碳元芯电子科技有限责任公司;北京大学;北京元芯碳基集成电路研究院邱晨光获国家专利权
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龙图腾网获悉北京华碳元芯电子科技有限责任公司;北京大学;北京元芯碳基集成电路研究院申请的专利一种源漏接触金属的自对准图形化方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112838164B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911164876.9，技术领域涉及：H10K10/46；该发明授权一种源漏接触金属的自对准图形化方法是由邱晨光;孟令款;梁世博;张志勇;彭练矛设计研发完成，并于2019-11-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种源漏接触金属的自对准图形化方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种无掺杂薄膜晶体管的源漏接触金属的自对准图形化方法。该方法通过在衬底上形成的常规栅结构上沉积源漏接触金属层，然后在其上沉积层间介质层，并以接触金属层为停止层对层间介质层平坦化。随后通过回刻技术对层间介质层减薄，在接触区域上方保留层间介质层，将接触区域外的栅侧墙外壁和栅顶部的主栅电极金属层裸露出来，开窗定义源漏区和栅的图形总尺寸，并刻蚀掉其余的层间介质层，并以此作为自对准掩膜，刻蚀掉裸露的金属层。本方法实现了在保护源漏区域的情况下刻蚀掉侧墙和栅顶部的多余的金属。
本发明授权一种源漏接触金属的自对准图形化方法在权利要求书中公布了：1.一种无掺杂薄膜晶体管的源漏接触金属的自对准图形化方法，其特征在于包括以下步骤： S1：在衬底（101）上沉积一半导体层（102），并在半导体层（102）上形成包括栅介质层（103）、栅极（104）、侧墙（105）以及主栅电极（106）的栅结构； S2：在上述栅结构上沉积一层金属薄膜作为薄膜晶体管的源漏接触金属层（107），在侧墙（105）和主栅电极（106）上均留有一定厚度的金属薄膜； S3：在所述源漏接触金属层（107）上沉积层间介质层（108）； S4：采用化学机械抛光以所述源漏接触金属层（107）为停止层对层间介质层（108）平坦化； S5：采用回刻技术对层间介质层（108）减薄，在接触区域上方保留层间介质层（108），将接触区域外的栅侧墙外壁和栅顶部的主栅电极金属层裸露出来； S6：采用光刻胶做掩膜，开窗定义源漏区和栅的图形总尺寸，并刻蚀掉其余的层间介质层（108）； S7：以剩余层间介质层（108）为掩膜，刻蚀掉裸露的金属层，所保留的层间介质层（108）作为自对准掩膜来保护接触区域不被刻蚀。
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