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申请/专利权人：深圳市柔宇科技有限公司
申请日：2016-12-30
公开（公告）日：2018-05-04
公开（公告）号：CN107996002A
专利技术分类：..其衬底为非半导体的，例如为绝缘体的[2006.01]
专利摘要：一种阵列基板，包括基板10、形成于所述基板10上的TFT开关12、覆盖所述基板10及TFT开关12的保护层13及形成于所述保护层13的像素电极14，所述TFT开关12包括栅极绝缘层121、位于所述栅极绝缘层121上的沟道区122及连接所述沟道区122的源极123和漏极125，所述像素电极14与所述源极123或漏极125通过一过孔15连接，所述过孔15位于所述沟道区122的一侧并且所述过孔15贯穿所述保护层13及所述源极123或漏极125；以及一种阵列基板制造方法。
专利权项：一种阵列基板，其特征在于，包括基板、形成于所述基板上的TFT开关、覆盖所述基板及TFT开关的保护层及形成于所述保护层的像素电极，所述TFT开关包括栅极绝缘层、位于所述栅极绝缘层上的沟道区及连接所述沟道区的源极和漏极，所述像素电极与所述源极或漏极通过一过孔连接，所述过孔位于所述沟道区的一侧并且所述过孔贯穿所述保护层及所述源极或漏极。
百度查询： 深圳市柔宇科技有限公司 阵列基板及阵列基板制造方法
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