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申请/专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日：2015-02-28
公开（公告）日：2018-01-26
公开（公告）号：CN104657558B
专利技术分类：
专利摘要：本发明提出了一种提取LOD效应模型的方法，在不同应力参考值下分别提取出多个不同尺寸MOS管的LOD效应模型参数，接着，将不同的LOD效应模型参数分别添加至与所述应力参考值相匹配的初始MOS管模型中，再进行整合，接着，对与预设参考值对应的MOS管尺寸不同的MOS管的LOD效应模型参数进行修改，修改后再进行测试参数的目标重设，从而获得最终的LOD效应模型，实现对不同尺寸的MOS管同时进行LOD效应模型的准确提取，减少误差。
专利权项：一种提取LOD效应模型的方法，其特征在于，包括步骤：提取初始MOS管模型；在不同应力参考值下分别提取出多个不同尺寸MOS管的LOD效应模型参数，所述不同尺寸MOS管对应不同应力参考值，所述应力参考值包括一预设参考值；将不同尺寸MOS管的LOD效应模型参数分别添加至与所述应力参考值相匹配的初始MOS管模型中；将不同尺寸MOS管的LOD效应模型进行整合获得整合后的LOD效应模型；对整合后的LOD效应模型中与所述预设参考值对应的MOS管尺寸不同的MOS管的LOD效应模型参数进行修改，使修改满足预设参考值；对与所述预设参考值对应的MOS管尺寸不同的MOS管进行测试参数的目标重设后，获得最终的LOD效应模型。
百度查询： 上海华虹宏力半导体制造有限公司 提取LOD效应模型的方法
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